2SC5552

Panasonic Industrial Europe GmbH
Power Transistors 2SC5552 Silicon NPN triple diffusion mesa type For horizontal deflection output Unit: mm VCBO 1 700 V Collector-emitter voltage (E-B short) VCES 1 700 V Collector-emitter voltage (Base open) VCEO Emitter-base voltage (Collector open) VEBO Peak collector current ICP Collector power dissipation PC Ta = 25°C (23.4) (1.2) 5˚ 0.7±0.1 600 V 7 V 8 A 16 A...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3 TO-220AB
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
  Примечание: Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Power Transistors 2SC5552 Silicon NPN triple diffusion mesa type For horizontal deflection output Unit: mm VCBO 1 700 V Collector-emitter voltage (E-B short) VCES 1 700 V Collector-emitter voltage (Base open) VCEO Emitter-base voltage (Collector open) VEBO Peak collector current ICP Collector power dissipation PC Ta = 25°C (23.4) (1.2) 5˚ 0.7±0.1 600 V 7 V 8 A 16 A 30 A 65 W 10.9±0.5 5˚ 1 2 3 5.5±0.3 Collector-base voltage (Emitter open) * 5˚ 1.1±0.1 1: Base 2: Collector 3: Emitter EIAJ: SC-94 TOP-3E-A1 Package (2.0) Unit IB (2.0) 18.6±0.5 (2.0) Solder Dip Rating 3.3±0.3 Symbol IC 5˚ (4.0) 2.0±0.2 5.45±0.3 Parameter Collector current 3.0±0.3 5˚ di p Pl lan nclu ea e se pla m d m des ne ain ain foll htt visit d te t o p:/ fo /w llo dis disc nan enan wing ww wi co on ce c fo .se ng ntin tin ty e ty ur mi UR ue ued pe pe Pro co L a d t ty du n.p bo yp pe ct life an ut e d as lat cy on es cle ic. t in sta co fo ge .jp rm . /en at i o / n. ■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C Base current 26.5±0.5 M Di ain sc te on na tin nc ue e/ d • High breakdown voltage, and high reliability through the use of a glass passivation layer • High-speed switching • Wide safe operation area (4.5) 5˚ (10.0) ■ Features φ 3.2±0.1 22.0±0.5 15.5±0.5 3.5 Junction temperature Tj Storage temperature Tstg °C −55 to +150 °C ce /D isc on tin ue Note) *: Non-repetitive peak collector current 150 ■ Electrical Characteristics TC = 25°C ± 3°C Parameter en an Collector-base cutoff current (Emitter open) Ma int Emitter-base cutoff current (Collector open) Forward current transfer ratio Symbol ICBO Conditions Min Typ Max Unit VCB = 1 000 V, IE = 0 50 µA VCB = 1 700 V, IE = 0 1 mA 50 µA 12  IEBO VEB = 7 V, IC = 0 hFE VCE = 5 V, IC = 8 A 6 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC = 8 A, IB = 2 A 3 V Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC = 8 A, IB = 2 A 1.5 V Transition frequency fT VCE = 10 V, IC = 0.1 A, f = 0.5 MHz Storage time tstg IC = 8 A, Resistance loaded 3.0 µs Fall time tf IB1 = 2 A, IB2 = −4 A 0.2 µs 3 MHz Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors. Publication date: February 2003 SJD00158BED 1 PDF
Документация на 2SC5552 

2SC5552 SJD00158BED

Дата модификации: 29.11.2011

Размер: 170.5 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    MMBT5401 (YJ)