2SD1273

Panasonic Industrial Europe GmbH
Power Transistors 2SD1273, 2SD1273A Silicon NPN triple diffusion planar type Unit: mm 10.0±0.2 5.5±0.2 16.7±0.3 14.0±0.5 4.2±0.2 φ 3.1±0.1 Symbol Collector to base voltage 2SD1273 Collector to emitter voltage 2SD1273 VCBO 2SD1273A Unit 80 V 2.54±0.3 5.08±0.5 1: Base 2: Collector 3: Emitter EIAJ: SC-67 TO-220F Package 1 2 3 100 VCEO 60 2SD1273A V 80 Emitter to base voltag...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3 TO-220AB
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
  Примечание: Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Power Transistors 2SD1273, 2SD1273A Silicon NPN triple diffusion planar type Unit: mm 10.0±0.2 5.5±0.2 16.7±0.3 14.0±0.5 4.2±0.2 φ 3.1±0.1 Symbol Collector to base voltage 2SD1273 Collector to emitter voltage 2SD1273 VCBO 2SD1273A Unit 80 V 2.54±0.3 5.08±0.5 1: Base 2: Collector 3: Emitter EIAJ: SC-67 TO-220F Package 1 2 3 100 VCEO 60 2SD1273A V 80 Emitter to base voltage VEBO Peak collector current ICP Collector current IC Base current IB TC = 25°C Collector power dissipation Rating 0.5+0.2 –0.1 0.8±0.1 ■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C Parameter 1.3±0.2 1.4±0.1 di p Pl lan nclu ea e se pla m d m des ne ain ain foll htt visit d te t o p:/ fo /w llo dis disc nan enan wing ww wi co on ce c fo .se ng ntin tin ty e ty ur mi UR ue ued pe pe Pro co L a d t ty du n.p bo yp pe ct life an ut e d as lat cy on es cle ic. t in sta co fo ge .jp rm . /en at i o / n. • High forward current transfer ratio hFE • Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE • Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw 2.7±0.2 Solder Dip (4.0) M Di ain sc te on na tin nc ue e/ d ■ Features 4.2±0.2 7.5±0.2 0.7±0.1 For power amplification with high forward current transfer ratio Complementary to 2SB1299 PC Ta = 25°C 6 V 6 A 3 A 1 A 40 W 2 Storage temperature Tstg 150 °C −55 to +150 °C ue Tj ce /D isc on tin Junction temperature ■ Electrical Characteristics TC = 25°C Parameter Symbol ICBO en an 2SD1273 2SD1273A int Collector cutoff current ICEO Ma Collector cutoff current Emitter cutoff current Collector to emitter voltage IEBO 2SD1273 VCEO Collector to emitter saturation voltage Transition frequency Conditions Min Unit 100 µA VCB = 100 V, IE = 0 100 VCE = 40 V, IB = 0 100 µA Typ 100 µA VCB = 6 V, IC = 0 IC = 25 mA, IB = 0 60 hFE VCE = 4 V, IC = 0.5 A 500 VCE(sat) IC = 2 A, IB = 0.05 A 2SD1273A Forward current transfer ratio * Max VCB = 80 V, IE = 0 V 80 fT VCE = 12 V, IC = 0.2 A, f = 10 MHz 2 500 1 50 V MHz Note) *: Rank classification Rank hFE Q P O 500 to 1 000 800 to 1 500 1 200 to 2 500 Ordering can be made by the common rank (PQ rank hFE = 500 to 1 500) in the rank classification. 1 PDF
Документация на 2SD1273 

2SD1273, 2SD1273A SJD00187AED

Дата модификации: 30.11.2011

Размер: 183.2 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    MMBT5401 (YJ)