CIGT201208EH1R0MNE
Samsung
Технические характеристики
показать свернутьИндуктивность номинальная | ||
---|---|---|
Допуск по индуктивности | ||
Ток рабочий | ||
Ток насыщения | ||
Корпус производителя | ||
Экранирование магнитное | ||
Температура рабочая |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 2
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Индуктивность | Допуск | DCR | Ток рабочий | Ток насыщения | Частота саморезонанса | Добротность | Корпус производителя | Частота измерения | Экранирование | Исполнение | Тип сердечника | Способ монтажа | Применение | Температура рабочая | Примечание | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | CIGT252010LM1R0MNE (SAMSUNG) | SMD100825X20MM | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
P= | CIGT252008LM1R0MNE (SAMSUNG) | SMD100825X20MM | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на CIGT201208EH1R0MNE
Spec&Data Sheet_CIGT201208EH1R0MNE_i_r_0902bda5839f2f87_4ffe_m.xlsx
Дата модификации: 06.12.2018
Размер: 206.9 Кб
3 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.