1N4148WT

Shikues
Диод выпрямительный на напряжение до 75 В, ток до 125 мА, с падением напряжения 1.25 В, производства Shikues (SHIKUES)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD-523
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= 1N4448X (JSCJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — —
P= L1SS400T1G (LRC)
 
SOD-523 3000 шт
 
 — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.1A, 90V V(RRM), Silicon

Файлы 2

показать свернуть
1N4148WT Silicon Epitaxial Planar Switching Diode PINNING DESCRIPTION PIN Features • Fast switching speed • Ultra-small surface mount package • For general purpose switching applications • High conductance • Marking: T4 Cathode 1 2 Anode 2 1 Top View Simplified outline SOD-523 and symbol Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Symbol Value Unit Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRM 100 V Reverse Voltage VR 75 V IF(AV) 125 mA IFM 250 mA IFSM 2 1 A Power Dissipation Ptot 150 mW Thermal Resistance Junction to Ambient Air RèJA 833 Tj - 65 to + 150 O Tstg - 65 to + 150 O Average Rectified Forward Current Forward Continuous Current Non-repetitive Peak Forward Surge Current at t = 1 µs at t = 100 ms Operating Temperature Range Storage Temperature Range Characteristics at Ta = 25 OC Parameter Reverse Breakdown Voltage at IR = 1 µA Forward Voltage at IF = 1 mA at IF = 10 mA at IF = 50 mA at IF = 150 mA Peak Reverse Current at VR = 75 V at VR = 20 V at VR = 75 V, TJ = 150 OC at VR = 25 V, TJ = 150 OC C/W O C C Symbol Min. Max. Unit V(BR)R 75 - V - 0.715 0.855 1 1.25 - 1 25 50 30 µA nA µA µA VF IR V Total Capacitance at VR = 0 V, f = 1 MHz CT - 2 pF Reverse Recovery Time at Irr = 0.1 X IR, IF = IR = 10 mA, RL = 100 Ω trr - 4 ns REV.08 1 of 3 PDF
Документация на 1N4148WT 

Microsoft Word - 1N4148WT.docx

Дата модификации: 29.09.2019

Размер: 1.47 Мб

3 стр.

1N4148WT Silicon Epitaxial Planar Switching Diode PINNING DESCRIPTION PIN Cathode 1 2 Features • Fast switching speed • Ultra-small surface mount package • For general purpose switching applications • High conductance Anode 2 1 Top View Simplified outline SOD-523 and symbol Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Symbol Value Unit Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRM 100 V Reverse Voltage VR 75 V IF(AV) 125 mA IFM 250 mA IFSM 2 1 A Power Dissipation Ptot 150 mW Thermal Resistance Junction to Ambient Air RèJA 833 Tj - 65 to + 150 O Tstg - 65 to + 150 O Average Rectified Forward Current Forward Continuous Current Non-repetitive Peak Forward Surge Current at t = 1 µs at t = 100 ms Operating Temperature Range Storage Temperature Range Characteristics at Ta = 25 OC Parameter Reverse Breakdown Voltage at IR = 1 µA Forward Voltage at IF = 1 mA at IF = 10 mA at IF = 50 mA at IF = 150 mA Peak Reverse Current at VR = 75 V at VR = 20 V at VR = 75 V, TJ = 150 OC at VR = 25 V, TJ = 150 OC C/W O C C Symbol Min. Max. Unit V(BR)R 75 - V - 0.715 0.855 1 1.25 - 1 25 50 30 µA nA µA µA VF IR V Total Capacitance at VR = 0 V, f = 1 MHz CT - 2 pF Reverse Recovery Time at Irr = 0.1 X IR, IF = IR = 10 mA, RL = 100 Ω trr - 4 ns 1 of 3 PDF
Документация на 1N4148WT 

Microsoft Word - 1N4148WT.docx

Дата модификации: 04.05.2017

Размер: 1.3 Мб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1A7 (YJ)