1N4448X

JSCJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 100 В, ток до 500 мА, с падением напряжения 1 В, ёмкостью перехода 4 пФ, производства JSCJ (JSCJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD-523
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 30

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= L1SS400T1G (LRC)
 
SOD-523 3000 шт
 
 — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.1A, 90V V(RRM), Silicon
P= 1N4148WT (ANBON)
 

1N4148WT (ONS-FAIR) 		SOD-523 — — — —
P= 1N4148WT (SHIKUES)
 

1N4148WT (ONS-FAIR) 		SOD-523 — — — — — —
P= 1N4448WT (SHIKUES)
 

1N4448WT (ONS-FAIR) 		SOD-523 — — — — — —
P= 1N4448 (DC)
 

1N4448 (ONS-FAIR) 		DO35 в ленте 5000 шт —
P= 1N4148WT (YJ)
 

1N4148WT (ONS-FAIR) 		SOD-523 в ленте 8000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= L1SS400BST5G (LRC)
 
SOD882
 
 — — — —
P= 1N4448WS (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 75V V(RRM), Silicon
P= 1N4448WS (JSCJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 75V V(RRM), Silicon
P= LMDL914T1G (LRC)
 
SOD323 — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon
P= 1N4148WS (ANBON)
 

1N4148WS SOD-323 T4 (JSCJ)
1N4148WS (DIODES) 		SOD323
 
 — — — —
P= 1N4448WS (SHIKUES)
 
SOD323 в ленте 15 шт
 
 — — — — — —
P= BAS316Q (YJ)
 
SOD323
 
P= 1N4148WS (SHIKUES)
 

1N4148WS SOD-323 T4 (JSCJ)
1N4148WS (DIODES) 		SOD323 550 шт
 
 — — — — — —
P= 1N4148WS (YJ)
 

1N4148WS SOD-323 T4 (JSCJ)
1N4148WS (DIODES) 		SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= 1N4148WS (JSCJ)
 

1N4148WS SOD-323 T4 (JSCJ)
1N4148WS (DIODES) 		SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= LMDL6050T1G (LRC)
 
SOD323
 
 — — — —
P= MMDL914T1G (JSMICRO)
 
—
 
 — — — — — — — — — — —
P= MMDL914 (JSCJ)
 
SOD323 в коробках 3000 шт
 
 — —
P= 1N4148WSQ (YJ)
 
SOD323
 
P= BAS316 (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon
P= LBAS316T1G (LRC)
 
SOD323 — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon
P- BAS516 (YJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon
P- BAS516 (SHIKUES)
 
SOD-523 в ленте 3000 шт — — — — — —
P- LBAS516T1G (LRC)
 
SOD-523 3000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon
P- BAS716 (YJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon
P- BAS716 (JSCJ)
 
SOD-523 — — — — — — —
A- SS110L (TSC)
 
SOD-523 10000 шт
 
 — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon
A- ES1BL (TSC)
 
SOD-523 10000 шт
 
 — —
A- S1BL (TSC)
 
SOD-523 в ленте 10000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-523 Plastic-Encapsulate Diodes 1N4448X FAST SWITCHING DIODE SOD-523 FEATURES     Small Package Low Reverse Current Fast Switching Speed Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion MARKING: T5 T5 The marking bar indicates the cathode Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃ Parameter Symbol Limit Unit Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRM 100 V Peak Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 100 Working Peak Reverse Voltage VRWM 100 DC Blocking Voltage VR 75 RMS Reverse Voltage VR(RMS) 53 V Forward Continuous Current IFM 500 mA Average Rectified Output Current IO 250 mA Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @t=8.3ms IFSM 2.0 A Power Dissipation Pd 150 mW RθJA 833 ℃/W TJ,TSTG -55~+150 ℃ Thermal Resistance Junction to Ambient Operation Junction and Storage Temperature Range V Electrical Ratings @Ta=25℃ Parameter Reverse breakdown voltage Symbol Min Typ Max Unit Conditions V (BR)R 75 V = IR 5μA V (BR)R 100 V = IR 100μA VF1 0.62 0.72 V IF=5mA VF2 1.0 V IF=100mA Reverse current IR 25 nA VR=20V Capacitance between terminals CT 4 pF VR=0V,f=1MHz Reverse recovery time trr 4 ns Forward voltage www.jscj-elec.com 1 IF=IR=10mA Irr=0.1XIR,RL=100Ω Rev. - 2.0 PDF
Документация на 1N4448X 

Author: Administrator

Дата модификации: 20.05.2020

Размер: 1.36 Мб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)