Вход / Регистрация

2SD1802T

Shikues
2SD1802 TRANSISTOR (NPN) TO-252 FEATURES z Adoption of FBET,MBIT Processes Large Current Capacity and Wide ASO z z Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage Fast Switching Speed z 1.BASE 2.COLLECTOR 1 3.EMITTER 3 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 50 V VEBO Emitter-Base ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
— в ленте 5 шт — — — — —
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ PBSS4350X (YJ)
 
SOT-89 1000 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1899K (SHIKUES)
 
TO2522L
 
 — — — —
A+ LBSS4350SY3T1G (LRC)
 
—
 
 — — — — —
A+ LBSS4350SZ4TZHG (LRC)
 
—
 
 — — — — —
A+ 2SC4672G-B-AB3-R (UTC)
 
— — — — —
A+ 2SC5569G-AB3-R (UTC)
 
— в ленте 4000 шт — — —
A+ 2SD1624G-T-AB3-R (UTC)
 
SOT-89 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
2SD1802 TRANSISTOR (NPN) TO-252 FEATURES z Adoption of FBET,MBIT Processes Large Current Capacity and Wide ASO z z Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage Fast Switching Speed z 1.BASE 2.COLLECTOR 1 3.EMITTER 3 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 50 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current –Continuous 3 A PC Collector Power Dissipation 1 W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55-150 ℃ 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC =10µA, IE=0 60 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC =1mA, IB=0 50 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=10µA, IC =0 6 V Collector cut-off current ICBO VCB=70V, IE=0 0.6 µA Emitter cut-off current IEBO VEB=6V, IC=0 0.6 µA hFE(1) VCE=2V, IC=100mA 100 hFE(2) VCE=2V, IC=3A 35 560 DC current gain Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=2A, IB=100mA 0.5 V Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=2A, IB=100mA 1.2 V fT Transition frequency Cob Collector output capacitance CLASSIFICATION OF Rank Range REV.08 VCE=10V, IC=50mA 150 MHz VCB=10V, IE=0, f=1MHz 25 pF hFE(1) R S T U 100-200 140-280 200-400 280-560 1 of 3 PDF
Документация на 2SD1802T 

Дата модификации: 06.08.2020

Размер: 518.8 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)