2SD1899K

Shikues
2SD1899 2SD1899 TRANSISTOR (NPN) TO-252-2L FEATURES • Low VCE(sat) • High Transition Frequency 1. BASE 2. COLLECTOR 2 1 3. EMITTER 3 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current 3 A PC Collector Power Dissipation 1 ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2522L
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
— в ленте 5 шт — — — — —
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
2SD1899 2SD1899 TRANSISTOR (NPN) TO-252-2L FEATURES • Low VCE(sat) • High Transition Frequency 1. BASE 2. COLLECTOR 2 1 3. EMITTER 3 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current 3 A PC Collector Power Dissipation 1 W 125 ℃/W -55~+150 ℃ RθJA Thermal Resistance From Junction To Ambient TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=100µA,IE=0 60 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=1mA,IB=0 60 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=100µA,IC=0 7 V ICBO VCB=60V,IE=0 Collector cut-off current Emitter cut-off current IEBO hFE(1) DC current gain hFE(2) hFE(3) Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage * * * * VCE(sat) * VBE(sat) Collector output capacitance Cob Transition frequency fT VEB=7V,IC=0 VCE=2V, IC=0.2A 60 VCE=2V, IC=0.6A 100 VCE=2V, IC=2A 50 μA 10 μA 400 IC=1.5A,IB=0.15A 0.25 V IC=1.5A,IB=0.15A 1.2 V VCB=10V,IE=0, f=1MHz 30 pF VCE=5V,IC=1.5A 120 MHz *Pulse test: pulse width ≤350μs, duty cycle≤ 2.0%. CLASSIFICATION OF hFE(2) REV.08 10 RANK M L K RANGE 100-200 160-320 200-400 1 of 3 PDF
Документация на 2SD1899K 

Subject:

Дата модификации: 18.09.2021

Размер: 710 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N3904 (DC)