MB4S

Shikues
MB1S THRU MB10S 0.8A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER FEATURES: • Glass Passivated Chip Junction • Reverse Voltage - 100 to 1000 V • Forward Current - 0.8 A • High Surge Current Capability • Designed for Surface Mount Application MECHANICAL DATA • Case: MBS • Terminals: Solderable per MIL-STD-750, 750, Method 2026 • Approx. Weight: 100mg /0.0035oz Maximum Ratings and Electrical ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус MBS
Максимальное обратное напряжение диода
Прямое падение напряжения
Прямой ток диода (средн)
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Схема Uобр Uпрям Iпрям Примечание T раб Карточка
товара
P= MB4S (YJ)
 

MB4S (ONS-FAIR) 		TO269AA в ленте 2500 шт
 
 Bridge Rectifier Diode, 0.8A, 400V V(RRM), Silicon
P= B4S (LRC)
 
—
 
 —
P= MBL6S (YJ)
 
— 4000 шт
 
 Bridge Rectifier, 1 Phase, 0,5A, 600V

Файлы 1

показать свернуть
MB1S THRU MB10S 0.8A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER FEATURES: • Glass Passivated Chip Junction • Reverse Voltage - 100 to 1000 V • Forward Current - 0.8 A • High Surge Current Capability • Designed for Surface Mount Application MECHANICAL DATA • Case: MBS • Terminals: Solderable per MIL-STD-750, 750, Method 2026 • Approx. Weight: 100mg /0.0035oz Maximum Ratings and Electrical characteristics Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.Single phase half-wave half wave 60 Hz, resistive or inductive load, for capacitive load current derate by 20 %. Parameter Symbols MB1S MB2S MB4S MB6S MB8S MB10S Units Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 100 200 400 600 800 1000 V Maximum RMS voltage VRMS 70 140 280 420 560 700 V Maximum DC Blocking Voltage VDC 100 200 400 600 800 1000 V Average Rectified Output Current at Ta = 50 °C IO 0.8 A IFSM 30 A Peak Forward Surge Current 8.3 ms Single Half Sine Wave Superimposed on Rated Load (JEDEC Method) at 0.4 A 1.0 VF Maximum Forward Voltage V 1.1 at 0.8 A Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage @TA=25 °C 5 IR Typical Junction Capacitance（Note1） Cj 13 RθJA 95 RθJL 30 Tj, Tstg -55 ~ +150 Typical Thermal Resistance（Note2） Operating and Storage Temperature Range Note: 1. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4 V D.C. REV.08 μA 40 @TA=125 °C 1 of 3 pF ℃/W ℃ 2. Mounted on glass epoxy PC board with 44×(5×5mm2 ）copper pad. PDF
Документация на MB10S 

Subject:

Дата модификации: 19.09.2016

Размер: 401.1 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1N4936 (YJ)