MBR20200CT

Диод выпрямительный 2, общий катод на напряжение до 200 В, ток до 20 А, с падением напряжения 900 мВ, ёмкостью перехода 400 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220AB
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
  Примечание: Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 12

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= MBR20200CG (ANBON)
 
 
P= SBDB20H200CTB (JSCJ)
 
TO2632L 800 шт
 
P= MBR20200CD (YJ)
 
TO252 в ленте 10000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-252
P= MBR20200CT (SHIKUES)
 
TO-220-3
 
P= MBRB20200CT (YJ)
 
TO263 в ленте 2000 шт
 
P= MBR10200 (ANBON)
 
TO220AC
 
P= SBD20200CT (JSCJ)
 
TO2203L
 
A- MBRL20200CT (YJ)
 
TO220AB 50 шт
 
A- MBRL30200CT (YJ)
 
TO220AB 50 шт
 
A- MBR20200CTS (YJ)
 
TO220AB 50 шт
 
A- MBR30200CT (YJ)
 
TO220AB в линейках 50 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB
A- MBR30200CTS (YJ)
 
TO220AB 50 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS MBR20100CT THRU MBR20200CT COMPLIANT Schottky Diodes Features ● High frequency operation ● High purity, high temperature epoxy encapsulation for enhanced mechanical strength and moisture resistance ● Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications Typical applications are in switching power supplies, converters, freewheeling diodes, and reverse battery protection. Mechanical Data ● Package: TO-220AB Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code MBR20100CT MBR20150CT MBR20200CT MBR20100CT MBR20150CT MBR20200CT VRRM V IO A 20 IFSM A 150 I2t As 94 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~ +175 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~ +175 Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, R-load, Ta=25℃ Surge(Non-repetitive)Forward Current @60Hz half sine-wave, 1 cycle, Ta=25℃ Current Squared Time @1ms≤t<8.3ms Tj=25℃, 100 150 2 200 ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage drop per diode Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode SYMBOL UNIT VFM V IRRM1 mA IRRM2 TEST CONDITIONS IFM=10.0A MBR20100CT MBR20150CT 0.8 VRM=VRRM Ta=25℃ VRM=VRRM Ta=125℃ 0.85 MBR20200CT 0.9 0.1 20 1/4 S-B908 Rev.1.0,2-Jun-18 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на MBR20100CT 

Microsoft Word - MBR20100CT THRU MBR20200CT-双晶88.doc

Дата модификации: 02.06.2018

Размер: 144.7 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.