TB10S-10

Shikues
TB1S-10 THRU TB10S-10 1A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER FEATURES: PINNING • Glass Passivated Chip Juntion PIN DESCRIPTION 1 Input Pin（~） • Reverse Voltage - 100 to 1000 V 2 Input Pin（~） • Forward Current - 1 A 3 Output Anode（+） • High Surge Current Capability 4 Output Cathode（-） • Designed for Surface Mount Application 3 MECHANICAL DATA • Case: ABS/LBF ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SMD4
Максимальное обратное напряжение диода
Прямое падение напряжения
Прямой ток диода (средн)
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
TB1S-10 THRU TB10S-10 1A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER FEATURES: PINNING • Glass Passivated Chip Juntion PIN DESCRIPTION 1 Input Pin（~） • Reverse Voltage - 100 to 1000 V 2 Input Pin（~） • Forward Current - 1 A 3 Output Anode（+） • High Surge Current Capability 4 Output Cathode（-） • Designed for Surface Mount Application 3 MECHANICAL DATA • Case: ABS/LBF • Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026 • A pprox. Weight: 88mg 0.0029oz 4 2 1 ABS/LBF Package Maximum Ratings and Electrical characteristics Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase half-wave 60 Hz, resistive or inductive load, for capacitive load current derate by 20 %. Symbols TB1S-10 TB2S-10 TB4S-10 TB6S-10 Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM 100 200 400 600 800 1000 V Maximum RMS voltage V RMS 70 140 280 420 560 700 V Maximum DC Blocking Voltage V DC 100 200 400 600 800 1000 V Parameter Average Rectified Output Current at Ta = 40 °C TB8S-10 TB10S-10 Units IO 1 A Peak Forward Surge Current 8.3 ms Single Half Sine Wave Superimposed on Rated Load (JEDEC Method) I FSM 35 A Forward Voltage per element @I F =1.0A VF 1.1 V Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage @ T A =100℃ IR 5.0 100 500 μA Cj 13 pF RθJA RθJL 80 16 °C/W T j , T stg -55 ~ +150 °C @ T A =25 °C @ T A =125 °C Typical Junction Capacitance（Note1） Typical Thermal Resistance（Note2） Operating and Storage Temperature Range Note: 1. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4 V D.C. 2. Mounted on glass epoxy PC board with 1.3mm 2 copper pad. REV.08 1 of 3 PDF
Документация на TB10S-10 

2-TB1S-10~TB10S-10.cdr

Дата модификации: 01.01.1970

Размер: 324.6 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    ABS10 (YJ)