1N4001S

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 50 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.1 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-204AC DO-15
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- 2A01GR0 (TSC)
 
— — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-204AC
A- SF11GR0 (TSC)
 
— — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-204AL

Файлы 1

показать свернуть
1N4001S - 1N4007S CREAT BY ART Pb 1.0 AMP. Silicon Rectifiers A-405 RoHS COMPLIANCE Features High efficiency, Low VF High current capability High reliability High surge current capability Low power loss φ0.6mm leads Green compound with suffix "G" on packing code & prefix "G" on datecode Mechanical Data Cases: Molded plastic Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant Dimensions in inches and (millimeters) Marking Diagram Lead: Pure tin plated, lead free, solderable per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed 1N400XS = Specific Device Code Polarity: Color band denotes cathode G = Green Compound High temperature soldering guaranteed: 260℃/10s /.375", (9.5mm) lead lengths at 5 lbs, (2.3kg) tension Y = Year WW = Work Week Weight: 0.22 grams Maximum Ratings and Electrical Characteristics Rating at 25 ℃ ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20% Type Number Symbol 1N 1N 1N 1N 1N 1N 1N 4001S 4002S 4003S 4004S 4005S 4006S 4007S 50 100 200 400 600 800 1000 Units Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage VRRM Maximum RMS Voltage VRMS 35 70 140 280 420 560 700 V Maximum DC Blocking Voltage VDC 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum Average Forward Rectified Current .375"(9.5mm) Lead Length @TA=75℃ IF(AV) 1 A Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC method) IFSM 30 A Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1) @1A VF 1.0 V Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage IR 5 uA 50 uA 30 uA @ TA=25 ℃ @ TA=125℃ Maximum Full load Reverse Current, Full cycle Average .375"(9.5mm) Lead Lenfth @TA=75℃ Typical Junction Capacitance (Note 2) Typical Thermal Resistance (Note 3) Operating and Storage Temperature Range IR(AV) Cj 15 RθJA 50 TJ, TSTG - 65 to + 150 V pF O C/W O Note1: Pulse Test with PW=300 usec, 1% Duty Cycle Note2: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C. Note3: Mount on Cu-Pad Size 5mm × 5mm on P.C.B. Version:C10 C PDF
Документация на 1N4001S 

Author: lckao

Дата модификации: 28.11.2011

Размер: 185.7 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)