BAV19WS-GRRG

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 120 В, ток до 200 мА , производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD-123
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
BAV19WS-G/BAV20WS-G/BAV21WS-G Taiwan Semiconductor Small Signal Product 200mA, 120V - 250V Switching Diodes FEATURES - Fast Switching Speed - Surface Mount Package Ideally Suited For Automatic Insertion - High Conductance - Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free) - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC SOD-323 - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 APPLICATION Surface mount fast switching diode General purpose small signal switching MECHANICAL DATA - Case: SOD-323 small outline plastic package - Moisture sensitivity level 1 - Polarity: Indicated by cathode band - Weight: 4.36 ± 0.5 mg MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL BAV19WS-G BAV20WS-G BAV21WS-G UNIT Average Rectified Output Current IO 200 mA Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 120 200 250 V VR 100 150 200 V DC Reverse Voltage Non-Repetitive Peak Forward Surge Current Pulse Width = 1 μs Pulse Width = 1 s Repetitive Peak Forward Surge Current Power Dissipation Thermal Resistance Junction to Ambient Junction and Storage Temperature Range PARAMETER Breakdown Voltage (Note 1) Forward Voltage Reverse Leakage Current (Note 2) Junction Capacitance 625 mA PD 200 mW RθJA 625 °C/W TJ , TSTG -65 to 150 °C MIN MAX 120 - 200 - 250 - - 1.00 - 1.25 IR - 100 nA CJ - 5 pF trr - 50 ns BAV19WS-G V(BR)R BAV21WS-G IF=100mA IF=200mA A 0.5 IFRM SYMBOL BAV20WS-G 2.5 IFSM VF UNIT V V BAV19WS-G BAV20WS-G BAV21WS-G VR=0, f=1.0MHz Reverse Recovery Time (Note 3) Note 1: Test condition : IR= 100μA Note 2: Test condition : BAV19WS-G @ VR=100V, BAV20WS-G @ VR=150V, BAV21WS-G @ VR=200V Note 3: Test condition : IF= IR= 30mA , RL=100Ω , Irr=0.1xIR Document Number: DS_S0000021 Version: A15 PDF
Документация на BAV19WS-GRRG 

BAV19WS-G SERIES_A15.xls

Дата модификации: 14.09.2015

Размер: 162.3 Кб

4 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    11 октября 2024
    статья

    Реализация узла управления реле на базе компонентов SUNCO

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Для коммутирования как слаботочных сигналов, так и силовых цепей необходима надежная работа качественных электромеханических и полупроводниковые реле, например, выпускаемых компанией Hongfa. Подобрать... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.