Вход / Регистрация

BAV70 RFG

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный 2, общий катод на напряжение до 70 В, ток до 200 мА, с падением напряжения 1 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- BAS70-04 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, Schottky, 0.2A, 70V V(RRM)
A- BAS70-05 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, Schottky, 0.2A, 70V V(RRM)
A- LBAV170LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — — Rectifier Diode, 2 Element, 0.215A, 85V V(RRM), Silicon

Файлы 1

показать свернуть
BAW56, BAV70, BAV99 Taiwan Semiconductor Small Signal Product 225mW SMD Switching Diode FEATURES - Fast switching speed - Surface mount device type - Moisture sensitivity level 1 - Matte Tin(Sn) lead finish with Nickel(Ni) underplate - Pb free and RoHS compliant - Green compound (Halogen free) with suffix "G" on packing code and prefix "G" on date code MECHANICAL DATA SOT-23 - Case: SOT-23 small outline plastic package - Terminal: Matte tin plated, lead free, solderable per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed - High temperature soldering guaranteed: 260oC/10s - Weight: 0.008grams (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERSTICS (TA=25℃ unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT PD 225 mW Peak repetitive reverse voltage VRRM 70 V Repetitive peak forward current IFRM 450 mA IO 200 mA Power dissipation Mean forward current Pulse Width=1 sec Non-repetitive peak forward surge current Pulse Width=1 µsec Thermal resistance form junction to ambient Junction and storage temperature range PARAMETER IR = 100 µA Reverse breakdown voltage IF = 50 mA Forward voltage IF = 150 mA VR = 70 V Reverse leakage current VR = 0 V, f = 1 MHz Junction capacitance Reverse revovery time BAW56, BAV70 BAV99 IF = IR = 10 mA, RL = 100 Ω, IRR = 1 mA Document Number: DS_S1404011 0.5 IFSM A 2 RθJA 556 TJ , TSTG - 55 to + 150 o C/W o C SYMBOL MIN MAX UNIT V(BR) 70 - V - 1.00 - 1.25 - 2.50 µA - 2 pF - 1.5 pF - 6 ns VF IR CJ trr V Version: H14 PDF
Документация на BAV70 RFG 

BAW56 SERIES_H14.xls

Дата модификации: 10.04.2014

Размер: 120.3 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)