BAV99WRFG

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный 2, последовательно на напряжение до 85 В, ток до 150 мА, с падением напряжения 1.25 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 0.15A, 85V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- BAV99 (DC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A- BAV99 (TSC)
 
SOT-23-3
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 0.2A, 70V V(RRM), Silicon
A- BAV99 RF (TSC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 70V V(RRM), Silicon
A- LBAV199LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 1 шт
 
 — — — — Rectifier Diode, 2 Element, 0.215A, 85V V(RRM), Silicon

Файлы 1

показать свернуть
BAV99W Taiwan Semiconductor 150mA, 85V Switching Diode FEATURES ● ● ● ● KEY PARAMETERS Fast switching device (trr < 4ns) Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 APPLICATIONS ● For switching power supply PARAMETER VALUE UNIT IF 150 mA VRRM 85 V IFSM 4 A TJ MAX 150 °C Package SOT-323 MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● Case: SOT-323 Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 1A whisker test Weight: 5.00mg (approximately) SOT-323 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT VRRM 85 V VR 75 V 150 mA 130 mA 200 mW 4 A 1 A 0.5 A IFRM 500 mA Junction temperature range TJ -55 to +150 °C Storage temperature range TSTG -55 to +150 °C Repetitive peak reverse voltage Reverse voltage Forward current Single diode Dual diodes Power dissipation IF PD t = 1µs Non-Repetitive peak forward surge current t = 1ms IFSM t = 1s Repetitive peak forward current 1 Version: C2102 PDF
Документация на BAV99WRFG 

Дата модификации: 18.02.2021

Размер: 328.2 Кб

5 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    01 декабря
    новость

    Дискретные полупроводниковые решения от азиатских производителей для любых задач

    Владислав Долгов (КОМПЭЛ) Дискретные компоненты – основа любой схемотехники. От правильно подобранных диодов, транзисторов и стабилитронов может зависеть надежность и эффективность всей системы. Сегодня рынок предлагает большой выбор дискретов,... ...читать

    16 июля 2024
    статья

    Yangjie – один из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых компонентов

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Китайская компания Yangjie осуществляет полный цикл производства и продаж. Ее продукция нашла широкое применение в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)