BAV99

Диод выпрямительный 2, последовательно на напряжение до 100 В, ток до 215 мА, с падением напряжения 1.25 В, ёмкостью перехода 1.5 пФ, производства DC Components (DC)
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 36

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= LBAV99LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 1 шт
 
Rectifier Diode, 2 Element, 0.215A, 70V V(RRM), Silicon
P= BAV99 (YJ)
 

BAV99 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon
P= BAV99 (YOUTAI)
 

BAV99 (DIODES)
SOT-23-3 2200 шт
 
P= BAV99 (SHIKUES)
 

BAV99 (DIODES)
SOT-23-3
 
P= BAV99 (ANBON)
 

BAV99 (DIODES)
SOT-23-3
 
P= BAV99 [SOT23] (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= LMBD7000LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BAP64-04 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= MMBD4148SE (ANBON)
 

MMBD4148SE (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BAV99 A7 (JSCJ)
 
 
P= MMBD7000 (SHIKUES)
 

MMBD7000 (ONS-FAIR)
SOT-23-3
 
P= BAV99 (JSCJ)
 

BAV99 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт Rectifier Diode, 0.2A, 70V V(RRM)
P= LBAV199LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 1 шт
 
Rectifier Diode, 2 Element, 0.215A, 85V V(RRM), Silicon
P= BAV199 T/R (DC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BAV199 (JSCJ)
 

BAV199 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
P= BAV199 (YJ)
 

BAV199 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, 2 Element, 0.215A, 85V V(RRM), Silicon
P= BAV199WT (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
P= BAV199 (SHIKUES)
 

BAV199 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BAS40W-04 (JSCJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
P= BAS16 (YJ)
 

BAS16 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon
P= BAT64-04 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= LBAS40-04LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 500 шт
 
P= BAV99W (SHIKUES)
 
SOT-323-3 1620 шт
P= BAV99T (JSCJ)
 

BAV99T (ONS-FAIR)
SOT-523
 
P= MMBD7000 (JSCJ)
 

MMBD7000 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BAV170 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= LBAV170LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
Rectifier Diode, 2 Element, 0.215A, 85V V(RRM), Silicon
P= BAV99Q (YJ)
 
SOT-23-3
 
P= BAV23C (ANBON)
 
SOT-23-3
 
P= BAS40-04 (ANBON)
 
SOT-23-3 1 шт
 
P= BAS40-04 (JSCJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
P= BAS40-04 (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon
P= BAV170 (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
Rectifier Diode, 2 Element, 0.215A, 85V V(RRM), Silicon
P= BAV99WT (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт Rectifier Diode, 2 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= BAV199 [SOT-23] (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
Small-Signal Fast Switching Diodes
F~ BAV99W (DC)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт Выпрямительный диод - [SOT-323-3] Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon

Файлы 1

показать свернуть
BAL99 BAW56 BAV70 BAV99 DC COMPONENTS CO., LTD. RECTIFIER SPECIALISTS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES VOLTAGE - 100 Volts CURRENT - 0.15 Ampere FEATURES * Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion * Low power loss, high efficiency * Low leakage * Low forward voltage drop * High current capability SOT-23 .020(0.5) .012(0.3) MECHANICAL DATA .063(1.6) .047(1.2) * Case: Molded plastic * Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant * Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-202E, Method 208 guaranteed * Mounting position: Any * Weight: 0.008 grams Approx. .108(2.8) .083(2.1) .045(1.2) .034(0.9) .091(2.3) .067(1.7) .120(3.0) .110(2.8) .0071(0.18) .0035(0.09) .051(1.3) .035(0.9) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS .026(0.7) .010(0.3) Ratings at 25o C ambient temperature unless otherwise specified. .004 Max (0.10) .027(0.7) .013(0.3) Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%. Dimensions in inches and (millimeters) SYMBOL Maximum Reverse Voltage BAL99 BAV70 BAW56 BAV99 UNITS VR 75 VRRM 100 V Io 150 mA IFSM 2.0 A Maximum Power Dissipation Tamb=25 C Ptot 250 mW Maximum Forward Voltage (@IF=50mA) VF 1.0 V Maximum Reverse Current (@VR=VR Max) IR 2.5 µA Maximum Reverse Recovery Time(Note 1) trr 4.0 nS Typical Junction Capacitance(Note 2) CJ 1.5 RθJA 360 Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage Maximum Average Rectified Current V Peak Forward Surge Current, 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method) o Typical Thermal Resistance Operating and Storage Temperature Range TJ,TSTG Note: 1. Test Conditions: I F =I R =10mA, R L =100Ω, V R =6V to I R =1mA, R L =100Ω pF o C/W o -55 to +125 SINGLE(Alt) C COMMON ANODE COMMON CATHODE SERIES 2. Measured at 1MHz and V R =0 BAL99 BAW56 BAV70 BAV99 Pin Configuration (Top View) REV-1,Apr/25/2013 PDF
Документация на BAV99 

Дата модификации: 13.08.2023

Размер: 58 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.