Вход / Регистрация

ES1BFS

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 100 В, ток до 1 А, с падением напряжения 950 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO247AD
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- ES2BFS (TSC)
 
TO247AD 14000 шт
 
 — —
A- PU1BFSH (TSC)
 
TO247AD 14000 шт
 
 — —
A- PU2BFSH (TSC)
 
TO247AD 14000 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
ES1BFS – ES1JFS Taiwan Semiconductor 1A, 100V - 600V Super Fast Surface Mount Rectifier FEATURES ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS Glass passivated chip junction Low power loss, high efficiency Low profile package Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 APPLICATIONS ● DC to DC converter ● Switching mode converters and inverters ● Freewheeling application PARAMETER VALUE UNIT IF 1 A VRRM 100 - 600 V IFSM 30 A TJ MAX 150 °C Package SOD-128 Configuration Single die MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● Case: SOD-128 Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.028g (approximately) SOD-128 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL Marking code on the device ES1BFS ES1DFS ES1GFS ES1JFS ES1BFS ES1DFS ES1GFS ES1JFS UNIT Repetitive peak reverse voltage VRRM 100 200 400 600 V Reverse voltage, total rms value VR(RMS) 70 140 280 420 V Forward current Surge peak forward current, single half sine-wave superimposed on rated load Junction temperature Storage temperature IF t = 8.3ms t = 1.0ms 1 A 30 A 60 A TJ -55 to +150 °C TSTG -55 to +150 °C IFSM 1 Version: C2103 PDF
Документация на ES1JFS 

Дата модификации: 22.03.2021

Размер: 545.6 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)