ES1D M2G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный на напряжение до 200 В, ток до 1 А, с падением напряжения 950 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AC
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P- E1D (YJ)
 
SOD123FL в ленте 3000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon
P- E1DF (YJ)
 
DO221AC 3000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon

Файлы 1

показать свернуть
ES1AL – ES1JL Taiwan Semiconductor 1A, 50V - 600V Super Fast Surface Mount Rectifier FEATURES ● ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS Glass passivated chip junction Ideal for automated placement Low profile Package Low power loss, high efficiency Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT IF 1 A VRRM 50 - 600 V IFSM 30 A TJ MAX 150 °C APPLICATIONS Package Sub SMA Configuration Single die ● DC to DC converter ● Switching mode converters and inverters ● Freewheeling application MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● Case: Sub SMA Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.019g (approximately) Sub SMA ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL Marking code on the device ES 1AL ES 1BL ES 1CL ES 1DL ES 1FL ES 1GL ES 1HL ES UNIT 1JL EAL EBL ECL EDL EFL EGL EHL EJL Repetitive peak reverse voltage VRRM 50 100 150 200 300 400 500 600 V Reverse voltage, total rms value VR(RMS) 35 70 105 140 210 280 350 420 V Forward current Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load Junction temperature IF 1 A IFSM 30 A TJ - 55 to +150 °C Storage temperature TSTG - 55 to +150 °C 1 Version: L2103 PDF
Документация на ES1AL 

Дата модификации: 25.03.2021

Размер: 562.8 Кб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    26 июня 2024
    новость

    Полупроводниковые компоненты JSCJ для солнечной энергетики

    Электроэнергия, вырабатываемая солнечной батареей, может быть преобразована в удобную для потребителя форму разными способами, имеющими свои особенности. Одним из них является применение микроинверторов – преобразователей постоянного тока в... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)