ES1HLRQ

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 600 В, ток до 1 А , производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-220AA (SMP)
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
ES1AL thru ES1JL Taiwan Semiconductor CREAT BY ART Surface Mount Super Fast Rectifiers FEATURES - Glass passivated junction chip - Ideal for automated placement - Low profile package - Low power loss, high efficiency - Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA Case: Sub SMA Sub SMA Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free) Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.019 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL Marking code ES ES ES ES ES ES ES ES 1AL 1BL 1CL 1DL 1FL 1GL 1HL 1JL EAL EBL ECL EDL EFL EGL EHL EJL UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 50 100 150 200 300 400 500 600 V Maximum RMS voltage VRMS 35 70 105 140 210 280 350 420 V Maximum DC blocking voltage VDC 50 100 150 200 300 400 500 600 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 1 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 30 A Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @1A VF Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃ TJ=125 ℃ IR Typical junction capacitance (Note 2) Cj Maximum reverse recovery time (Note 3) Trr 35 Typical thermal resistance RθJL RθJA 35 85 TJ - 55 to +150 O C - 55 to +150 O C Operating junction temperature range Storage temperature range TSTG 0.95 1.3 1.7 V 5 μA 100 10 8 pF ns O C/W Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle Note 2: Measured at 1 MHz and Applied VR=4.0 Volts. Note 3: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Document Number: DS_D1405035 Version: I14 PDF
Документация на ES1ALR3G 

ES1AL SERIES_I14.xls

Дата модификации: 18.11.2014

Размер: 374.8 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)