ES3DR7

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 400 В, ток до 3 А, с падением напряжения 1.3 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= ES3DR6 (TSC)
 
— — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P- ES3D (YJ)
 

ES3D (DIODES) 		DO214AB в ленте 3000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM)
P- ES3D (TSC)
 

ES3D (DIODES) 		DO214AB 3000 шт — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB

Файлы 1

показать свернуть
ES3A thru ES3J Taiwan Semiconductor CREAT BY ART Surface Mount Super Fast Rectifiers FEATURES - Glass passivated chip junction - Ideal for automated placement - Super fast recovery time for high efficiency - Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA Case: DO-214AB (SMC) DO-214AB (SMC) Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free) Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.21 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL ES ES ES ES ES ES ES ES 3A 3B 3C 3D 3F 3G 3H 3J Unit Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 50 100 150 200 300 400 500 600 V Maximum RMS voltage VRMS 35 70 105 140 210 280 350 420 V Maximum DC blocking voltage VDC 50 100 150 200 300 400 500 600 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 3 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 100 A Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) IF= 3 A Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃ TJ=100 ℃ VF Trr Typical junction capacitance (Note 3) Cj Operating junction temperature range Storage temperature range 1.3 1.7 V 10 IR Maximum reverse recovery time (Note 2) Typical thermal resistance 0.95 μA 500 35 45 ns 30 pF RθJL RθJA 12 47 TJ - 55 to +150 O C - 55 to +150 O C TSTG O C/W Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C. Document Number: DS_D1405069 Version: I14 PDF
Документация на ES3BR7G 

ES3A SERIES_I14.xls

Дата модификации: 27.05.2014

Размер: 244 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)