ESH2BAR2

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 100 В, ток до 1 А , производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= GS1B (DC)
 
DO214AC в ленте 7500 шт Выпрямительный диод - [DO-214AC] Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= GS1G (DC)
 
DO214AA в ленте 7500 шт Выпрямительный диод - [DO-214AC] Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= ESH2BA (TSC)
 
DO214AC 7500 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P- ES1BR3G (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P- ES1BF3 (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P- ES1BR3 (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P- ES1BM2G (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC

Файлы 1

показать свернуть
ESH2BA thru ESH2DA Taiwan Semiconductor CREAT BY ART Surface Mount Ultra Fast Rectifiers FEATURES - Low power loss, high efficiency - Ideal for automated placement - Ultra fast recovery time for high efficiency - High surge current capability - Moisture sensitivity level : level 1, per J-STD-020 - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA DO-214AC(SMA) Case:DO-214AC(SMA) Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free, RoHS compliant Terminal:Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test Polarity:Indicated by cathode band Weight:0.07 gram (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERSTICS (TA=25℃ unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL ESH2BA ESH2CA ESH2DA Unit Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 100 150 200 V Maximum RMS voltage VRMS 70 105 140 V Maximum DC blocking voltage VDC 100 150 200 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 1 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 50 A VF 0.90 V Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @1A Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃ TJ=100℃ TJ=125 ℃ Maximum reverse recovery time (Note 2) Pulse energy in avalanche mode, non repetitive (inductive load switch off), L=120mH, Tj=25℃ Typical junction capacitance (Note 3) Typical thermal resistance Operating junction temperature range Storage temperature range 1 IR 10 μA 50 Trr 25 nS ERSM 20 mJ Cj 25 pF RθjL RθjA 20 75 TJ - 55 to + 175 O C TSTG - 55 to + 175 O C O Note 1:Pulse test with PW=300u sec, 1% duty cycle Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C. Document Number:DS_D1310015 Version:D13 C/W PDF
Документация на ESH2BAR2 

ESH2BA SERIES_D13.xls

Дата модификации: 21.10.2013

Размер: 367 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.