HS1DLR3G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 1 А , производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-220AA (SMP)
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
HS1AL thru HS1ML Taiwan Semiconductor CREAT BY ART High Efficient Surface Mount Rectifiers FEATURES - Glass passivated junction chip - Ideal for automated placement - Low profile package - Low power loss, high efficiency - Fast switching for high efficiency - Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA Case: Sub SMA Sub SMA Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free) Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.019 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL Marking code HS HS HS HS HS HS 1AL 1BL 1DL 1FL 1GL 1JL 1KL 1ML HAL HBL HDL HFL HGL HJL HKL HML HS HS UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 50 100 200 300 400 600 800 1000 V Maximum RMS voltage VRMS 35 70 140 210 280 420 560 700 V Maximum DC blocking voltage VDC 50 100 200 300 400 600 800 1000 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 1 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 30 A Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @1A VF Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃ TJ=125 ℃ IR Typical junction capacitance (Note 2) Cj 20 15 Maximum reverse recovery time (Note 3) Trr 50 75 Typical thermal resistance Operating junction temperature range Storage temperature range 0.95 1.3 V 1.7 5 μA 150 pF ns O RθjA 100 TJ - 55 to +150 O C - 55 to +150 O C TSTG C/W Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle Note 2: Measured at 1 MHz and Applied VR=4.0 Volts. Note 3: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Document Number: DS_D1405079 Version: B14 PDF
Документация на HS1ALRVG 

HS1AL SERIES_B14.xls

Дата модификации: 08.12.2014

Размер: 374 Кб

4 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    11 октября 2024
    статья

    Реализация узла управления реле на базе компонентов SUNCO

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Для коммутирования как слаботочных сигналов, так и силовых цепей необходима надежная работа качественных электромеханических и полупроводниковые реле, например, выпускаемых компанией Hongfa. Подобрать... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)