MBR20L100CTC0G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный 2, общий катод на напряжение до 100 В, ток до 10 А, с падением напряжения 850 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Рабочая температура
  Примечание: Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= MBR20L100CT (TSC)
 
TO220AB 50 шт
 
 — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB

Файлы 1

показать свернуть
MBR20L100CT thru MBR20L120CT Taiwan Semiconductor CREAT BY ART FEATURES Dual Common Cathode Schottky Rectifier - Low power loss, high efficiency - Guardring for overvoltage protection - High surge current capability - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA TO-220AB Case: TO-220AB Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test, with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: As marked Mounting torque: 5 in-lbs maximum Weight: 1.9 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL MBR20L100CT MBR20L120CT UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 100 120 V Maximum RMS voltage VRMS 70 84 V Maximum DC blocking voltage VDC 100 120 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 20 A Peak repetitive forward current (Rated VR, Square Wave, 20KHz) IFRM 20 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 150 A Peak repetitive reverse surge current (Note 1) IRRM Maximum instantaneous forward voltage (Note 2) IF= 10A, TJ=25℃ IF= 10A, TJ=125℃ IF= 20A, TJ=25℃ IF= 20A, TJ=125℃ Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃ TJ=125 ℃ Voltage rate of change (Rated VR) Typical thermal resistance Operating junction temperature range Storage temperature range VF IR 1 MAX TYP MAX 0.72 0.75 0.78 0.83 0.58 0.68 0.63 0.72 0.81 0.85 0.86 0.90 0.67 0.75 0.73 0.80 TYP MAX TYP MAX 1.10 20 1.00 20 μA 1.20 15 1.40 10 mA 10000 dV/dt RθJC TJ TSTG A TYP 2.8 V V/μs 3.0 O C/W - 55 to +150 O C - 55 to +150 O C Note 1: tp = 2.0 μs, 1.0KHz Note 2: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle Document Number: DS_D1308038 Version: G13 PDF
Документация на MBR20L100CTC0G 

MBR20L100CT SERIES_G13.xls

Дата модификации: 14.03.2014

Размер: 205 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)