Вход / Регистрация

P6SMB39A

Taiwan Semiconductor
P6SMB6.8(A) – P6SMB220(A) Taiwan Semiconductor 600W, 6.8V - 220V Surface Mount Transient Voltage Suppressor FEATURES ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS Low profile package Ideal for automated placement Glass passivated chip junction Excellent clamping capability Typical IR less than 1μA above 10V Fast response time: Typically less than 1.0ps from 0 volt to BV min Meets ISO 7637-2 (Pulse 1/2a...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AA
Рассеиваемая мощность
Пиковая рассеиваемая мощность
Рабочее напряжение
Напряжение ограничения (номинальное)
Напряжение ограничения (диапазон)
Максимальное импульсное напряжение
Ток утечки при рабочем напряжении
Максимальный импульсный ток
Тип супрессора по свойствам
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Pрасс Pрасс(пик) Uраб Uогр(ном) Uогр(диапазон) Uимп(макс) Iраб Iимп(макс) Тип Линий Cперех Примечание Карточка
товара
A- P4SMA39A (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 33.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
A- 1.5KE39 (DC)
 
DO-204AC DO-15 — — Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 31.6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-201AE
A- SMAJ33A (DC)
 

SMAJ33A (HY) 		DO214AC в ленте 7500 шт Защитный диод - [DO-214AC]; Pрасс: 3.3 Вт; Pрасс(пик): 400 Вт; Uраб: 33 В; Uогр(ном): 3... — — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
A- P6SMB39A (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
 — — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 33.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
A- SMBJ33A (DC)
 

SMBJ33A (ONS-FAIR) 		DO-214AA SMB в ленте 3000 шт Защитный диод - [DO-214AA]; Pрасс: 5 Вт; Pрасс(пик): 600 Вт; Uраб: 33 В; Uогр(ном): 39 ... — — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
A- 1.5SMC39A (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
 —
A- 1.5KE39A (YJ)
 
DO201AE в ленте 1250 шт
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode, 33.3V V(RWM), Unidirectional, Silicon
A- 1.5KE39A (DC)
 
DO201 в ленте 500 шт Защитный диод - [DO-201AE]; Pрасс: 6.5 Вт; Pрасс(пик): 1.5 кВт; Uраб: 33.3 В; Uогр(ном)... — — Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 33.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-201AE
A- P4SMA39A (TSC)
 
DO214AC 7500 шт — — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 33.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
A- P4SMA39AH (TSC)
 
DO214AC 7500 шт — — — —
A- 1.5SMC39AQ (YJ)
 
— 300 шт
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode
A- BZW06-33 (TSC)
 
DO204AC 3500 шт — — —
A- P6KE39A (TSC)
 

P6KE39A (ONS-FAIR) 		DO204AC в ленте 3500 шт — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 33.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15
A- 1.5SMC39CAR7G (TSC)
 
— 1 шт — — — Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 33.3V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB
A- 1.5SMC39AH (TSC)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — — —
A- 1.5SMC39A (TSC)
 
DO214AB 3000 шт — Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 33.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB

Файлы 2

показать свернуть
P6SMB6.8(A) – P6SMB220(A) Taiwan Semiconductor 600W, 6.8V - 220V Surface Mount Transient Voltage Suppressor FEATURES ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS Low profile package Ideal for automated placement Glass passivated chip junction Excellent clamping capability Typical IR less than 1μA above 10V Fast response time: Typically less than 1.0ps from 0 volt to BV min Meets ISO 7637-2 (Pulse 1/2a/2b/3a/3b) Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT VWM 5.5 - 185 V VBR 6.8 - 220 V PPPSM 600 W TJ MAX 150 °C Package DO-214AA (SMB) Configuration Single die APPLICATIONS ● ● ● ● Switching mode power supply (SMPS) Adapters TV Monitor MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● Case: DO-214AA (SMB) Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: As marked Weight: 0.090g (approximately) DO-214AA (SMB) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER Non-repetitive peak impulse power dissipation with (1) 10/1000μs waveform Steady state power dissipation at TA = 25°C Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load SYMBOL VALUE UNIT PPPSM 600 W Ptot 3 W IFSM 100 A Forward Voltage @ IF = 50A for Uni-directional only VF 3.5 / 5.0 V Junction temperature TJ -55 to +150 °C (2) TSTG -55 to +150 Storage temperature Notes: 1. Non-repetitive current pulse per Fig.3 and derated above TA = 25°C per Fig.2 2. VF = 3.5V on P6SMB6.8 - P6SMB91 device and VF = 5.0V on P6SMB100 - P6SMB220 device. °C Devices for Bipolar Applications 1. For bidirectional use C or CA suffix for types P6SMB6.8 - types P6SMB220A 2. Electrical characteristics apply in both directions 1 Version: P2102 PDF
Документация на P6SMB100A 

Дата модификации: 05.03.2021

Размер: 494.1 Кб

7 стр.

P6SMB SERIES Surface Mount Transient Voltage Suppressor Voltage Range 6.8 to 200 Volts 600 Watts Peak Power SMB/DO-214AA Features           For surface mounted application in order to optimize board space Low profile package Built-in strain relief Glass passivated junction Excellent clamping capability Fast response time: Typically less than 1.0ps from 0 volt to BV min. Typical IR less than 1μA above 10V High temperature soldering guaranteed: 250OC / 10 seconds at terminals Plastic material used carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 600 watts peak pulse power capability with a 10 x 1000 us waveform by 0.01% duty cycle .082(2.08) .076(1.93) .147(3.73) .137(3.48) .187(4.75) .167(4.25) .012(.31) .006(.15) .103(2.61) .078(1.99) .012(.31) .006(.15) .056(1.41) .035(0.90) Mechanical Data      .008(.20) .004(.10) .208(5.28) .200(5.08) Case: Molded plastic Terminals: Solder plated Polarity: Indicated by cathode band Standard packaging: 12mm tape (EIA STD RS-481) Weight: 0.093gram Dimensions in inches and (millimeters) Maximum Ratings and Electrical Characteristics Rating at 25℃ambient temperature unless otherwise specified. Type Number Symbol Value Peak Power Dissipation at TA=25OC, Tp=1ms(Note 1) Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC method) (Note 2, 3) - Unidirectional Only Maximum Instantaneous Forward Voltage at 50.0A for Unidirectional Only (Note 4) Operating and Storage Temperature Range Units PPK Minimum 600 Watts IFSM 100 Amps VF 3.5 Volts TJ, TSTG -65 to + 150 O O C Notes: 1. Non-repetitive Current Pulse Per Fig. 3 and Derated above TA=25 C Per Fig. 2. 2. Mounted on 5.0mm2 (.013 mm Thick) Copper Pads to Each Terminal. 3. 8.3ms Single Half Sine-wave or Equivalent Square Wave, Duty Cycle=4 pulses Per Minute Maximum. Devices for Bipolar Applications 1. For Bidrectional Use C or CA Suffix for Types P6SMB6.8 through Types P6SMB200A. 2. Electrical Characteristics Apply in Both Directions. - 620 - PDF
Документация на P6SMB39A 

Äîêóìåíòàöèÿ è îïèñàíèÿ www.docs.chipfind.ru DATASHEET SEARCH, DATABOOK, COMPONENT, FREE DOWNLOAD SITE

Дата модификации: 27.04.2006

Размер: 74 Кб

4 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    11 октября 2024
    статья

    Реализация узла управления реле на базе компонентов SUNCO

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Для коммутирования как слаботочных сигналов, так и силовых цепей необходима надежная работа качественных электромеханических и полупроводниковые реле, например, выпускаемых компанией Hongfa. Подобрать... ...читать

    16 июля 2024
    статья

    SUNCO – один из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых компонентов

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Китайская компания SUNCO осуществляет полный цикл производства и продаж. Ее продукция нашла широкое применение в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике,... ...читать

    24 ноября 2022
    новость

    TVS-диоды SUNCO поступили на склад КОМПЭЛ

    Большая партия TVS–диодов производства компании SUNCO пополнила склад КОМПЭЛ. На сегодняшний день SUNCO является крупнейшим в КНР производителем полного цикла, выпускающим дискретные силовые полупроводники. Основанная в 2000 г. в городе... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1.5KE6.8CA (LTL)