Вход / Регистрация

RS1ALRVG

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный, ток до 800 мА , производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус —
Схема включения диодов
Прямой ток диода (средний)
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.8A, Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
RS1AL thru RS1ML Taiwan Semiconductor CREAT BY ART Surface Mount Fast Recovery Rectifiers FEATURES - Glass passivated junction chip - Ideal for automated placement - Fast switching for high efficiency - Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA Case: Sub SMA Sub SMA Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free) Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.019 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL Marking code RS1 RS1 RS1 RS1 RS1 RS1 RS1 AL BL DL GL JL KL ML RAL RBL RDL RGL RJL RKL RML UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum RMS voltage VRMS 35 70 140 280 420 560 700 V Maximum DC blocking voltage VDC 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 0.8 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 30 A Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @ 0.8 A VF 1.3 V Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃ TJ=125 ℃ IR Typical junction capacitance (Note 2) Cj Maximum reverse recovery time (Note 3) Trr Typical thermal resistance RθjL RθjA 32 105 TJ - 55 to +150 O C - 55 to +150 O C Operating junction temperature range Storage temperature range TSTG 5 μA 50 10 150 pF 250 500 ns O C/W Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle Note 2: Measured at 1 MHz and Applied VR=4.0 Volts. Note 3: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Document Number: DS_D1405034 Version: K14 PDF
Документация на RS1ALR2 

RS1AL SERIES_K14.xls

Дата модификации: 27.05.2014

Размер: 373.3 Кб

4 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    23 марта 2023
    статья

    Диоды и диодные мосты SUNCO – рациональный выбор для любых приложений

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Китайская компания SUNCO занимается полным циклом производства полупроводников. Ее продукция отличается широким разнообразием и при этом соответствует мировым стандартам. Выпрямительные и сигнальные диоды,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)