SK86C

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 60 В, ток до 8 А, с падением напряжения 750 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AB
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- SS86 (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AB

Файлы 1

показать свернуть
SK82C – SK810C Taiwan Semiconductor 8A, 20V - 100V Schottky Barrier Surface Mount Rectifier FEATURES ● ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS Low power loss, high efficiency Ideal for automated placement Guard ring for overvoltage protection High surge current capability Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 APPLICATIONS ● ● ● ● PARAMETER VALUE UNIT IF 8 A VRRM 20 - 100 V IFSM 150 A TJ MAX 125, 150 °C Package DO-214AB (SMC) Configuration Single die Switching mode power supply (SMPS) Adapters Lighting application Converter MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● Case: DO-214AB (SMC) Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.210g (approximately) DO-214AB (SMC) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Repetitive peak reverse voltage VRRM SK 82C SK 82C 20 Reverse voltage, total rms value VR(RMS) 14 PARAMETER SYMBOL Marking code on the device Forward current Surge peak forward current, 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load Critical rate of rise of off-state voltage Junction temperature Storage temperature SK 83C SK 83C 30 SK 84C SK 84C 40 SK 85C SK 85C 50 SK 86C SK 86C 60 SK 810C SK 810C 100 21 28 35 42 70 UNIT V V IF 8 A IFSM 150 A dV/dt 10,000 V/µs TJ - 55 to +125 TSTG - 55 to +150 - 55 to +150 1 °C °C Version: L2102 PDF
Документация на SK84C 

Дата модификации: 11.03.2021

Размер: 438.4 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.