SS86

Yangjie
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 60 В, ток до 8 А, с падением напряжения 700 мВ, ёмкостью перехода 350 пФ, производства Yangjie (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AB
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- SK86C (TSC)
 
DO214AB 3000 шт — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AB

Файлы 1

показать свернуть
RoHS SS82 THRU SS820 COMPLIANT Surface Mount Schottky Rectifier Features ● Guardring for overvoltage protection ● Low power loss ● Extremely fast switching ● High forward surge capability ● High frequency operation ● Solder dip 260 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 Typical Applications For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection applications. Mechanical Data ● Package: DO-214AB (SMC) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Color band denotes the cathode end ■ Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code SS82 SS84 SS86 SS810 SS815 SS820 SS82 SS84 SS86 SS810 SS815 SS820 20 40 60 100 150 200 VRRM V IO A 8.0 Surge(Non-repetitive)Forward Current @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 120 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction Temperature Tj ℃ Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta (FIG.1) -55~+125 -55 ~+150 ■ Electrical Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified) SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS SS82 SS84 SS86 SS810 Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=8.0A 0.55 0.60 0.70 0.85 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IR mA Typical junction capacitance Cj PARAMETER pF SS815 0.95 Ta=25℃ 0.2 0.1 Ta=100℃ 20 5.0 Measured at 1MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C. 450 350 270 SS820 180 1/4 S-S439 Rev. 2.6, 18-Jun-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на SS810 

Microsoft Word - SS82 THRU SS820

Дата модификации: 18.06.2019

Размер: 177.4 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)