Вход / Регистрация

SMCJ33CA

Taiwan Semiconductor
SMCJ5V0(C)A – SMCJ170(C)A Taiwan Semiconductor 1500W Transient Voltage Suppressor FEATURES ● Glass passivated junction ● 1500W peak pulse power capability on 10/1000µs waveform ● Excellent clamping capability ● Low-Incremental surge resistance ● Fast response time: Typically less than 1.0ps from 0V to BV minimum for unidirectional and 5.0ns for bidirectional ● Typical IR less than 1μA above 10...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Группа: Защитные диоды  
  • Серия: SMCJ33  
  • Альт. имя: SMCJ33CA/TR13 (YAG)
  • Истор. имя: SMCJ33CA (ONS-FAIR)
  • Корпус: DO214AB
  • Норма упаковки: 3000  шт. (в ленте)

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AB
Рассеиваемая мощность
Пиковая рассеиваемая мощность
Рабочее напряжение
Напряжение ограничения (номинальное)
Напряжение ограничения (диапазон)
Максимальное импульсное напряжение
Ток утечки при рабочем напряжении
Максимальный импульсный ток
Тип супрессора по свойствам
Количество линий ограничения
  Примечание: Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 20

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Pрасс Pрасс(пик) Uраб Uогр(ном) Uогр(диапазон) Uимп(макс) Iраб Iимп(макс) Тип Линий Cперех Примечание Карточка
товара
PA SMCJ33CA/TR7 (YAG)
 
DO214AB 5000 шт — — SMCJ, DO-214AB, 33V, 53.3V, Reel 7"
PA SMCJ33CA/TR13 (YAG)
 
DO214AB в ленте 30000 шт — — SMCJ, DO-214AB, 33V, 53.3V, Reel 13"
P= SMCJ33CAR7 (TSC)
 
— — — — — — Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB
P= SMCJ33CAR7G (TSC)
 
— — — — — — Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB
P- 1.5SMC39CA (TSC)
 
DO214AB 3000 шт Защитный диод - Примечание: SMD Suppressor —
P- 1V5KE33A (TSC)
 

1V5KE33A (ONS-FAIR) 		DO201 1250 шт — Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 28.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-201AE
P- 1.5SMC39CAR7G (TSC)
 
— 1 шт — — — Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 33.3V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB
P- 1.5KE33A (TSC)
 
DO201 1250 шт Защитный диод - — Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 28.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-201
A- SMBJ33CA (TSC)
 

SMBJ33CA/TR7 (YAG)
SMBJ33CA (ONS-FAIR) 		DO214AA 3000 шт Защитный диод - — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
A- SMB10J33CA R5G (TSC)
 
— 1400 шт — —
A- SMB10J33CAHR5G (TSC)
 
— —
A- TLD5S33AH (TSC)
 
ITO220AC 750 шт
 
 — — Trans Voltage Suppressor Diode
A- TLD6S33AH (TSC)
 
ITO220AC 750 шт
 
 — — Trans Voltage Suppressor Diode
A- SMBJ33CAHM4G (TSC)
 
— —
A- SMBJ33CAH (TSC)
 
DO214AA 3000 шт — — —
A- SMAJ33CA (TSC)
 

SMAJ33CA/TR7 (YAG) 		DO214AC 7500 шт — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
A- SMAJ33CAH (TSC)
 
DO214AC 7500 шт — — —
A- SMAJ33CAHM2G (TSC)
 
— —
A- SA33CA (TSC)
 

SA33CA (ONS-FAIR) 		DO204AC 3500 шт — Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15
A- SMDJ33CAH (TSC)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
SMCJ5V0(C)A – SMCJ170(C)A Taiwan Semiconductor 1500W Transient Voltage Suppressor FEATURES ● Glass passivated junction ● 1500W peak pulse power capability on 10/1000µs waveform ● Excellent clamping capability ● Low-Incremental surge resistance ● Fast response time: Typically less than 1.0ps from 0V to BV minimum for unidirectional and 5.0ns for bidirectional ● Typical IR less than 1μA above 10V ● UL certificate #E258596 ● UL94V-0 flammability classification SMC/DO-214AB Band denotes cathode on unidirectional devices only. No band on bi-directional devices. Bi-directional types have CA suffix where electrical chatacteristics apply in both directions suitable for bi-directional applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be operable above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addition, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The absolute maximum ratings are stress ratings only. Values are at TA = 25°C unless otherwise noted. PARAMETER Peak pulse power dissipation tp=1ms Peak pulse current on 10/1000µs waveform Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (1) Superimposed on Rated Load (JEDEC Method) Junction temperature Storage temperature SYMBOL PPPM IPPM VALUE 1500 see table UNIT W A IFSM 200 A TJ -55 to +150 °C TSTG -55 to +150 °C Note: 1. Measured on 8.3ms single half-sine wave; duty cycle = 4 pulses per minute maximum. 1 Version: B1910 PDF
Документация на SMCJ100CA 

Subject:

Дата модификации: 15.07.2020

Размер: 174.9 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1.5KE6.8CA (LTL)