TLD5S33AH

Taiwan Semiconductor
TLD5S10AH – TLD5S43AH Taiwan Semiconductor 3600W, 10V – 43V Surface Mount Transient Voltage Suppressor FEATURES KEY PARAMETERS ● AEC-Q101 qualified ● Junction passivation optimized design technology ● TJ =175 °C capability suitable for high reliability and automotive requirement ● Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 ● RoHS Compliant ● Halogen-free according to IEC 61249-2-21 ●...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус ITO220AC
Рассеиваемая мощность
Пиковая рассеиваемая мощность
Рабочее напряжение
Напряжение ограничения (номинальное)
Напряжение ограничения (диапазон)
Максимальное импульсное напряжение
Ток утечки при рабочем напряжении
Максимальный импульсный ток
Тип супрессора по свойствам
Примечание Trans Voltage Suppressor Diode
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Pрасс Pрасс(пик) Uраб Uогр(ном) Uогр(диапазон) Uимп(макс) Iраб Iимп(макс) Тип Линий Cперех Примечание Карточка
товара
A- SMB10J33CA R5G (TSC)
 
— 1400 шт — —
A- TLD6S33AH (TSC)
 
ITO220AC 750 шт
 
 — — Trans Voltage Suppressor Diode
A- SMBJ33CA (TSC)
 

SMBJ33CA/TR7 (YAG)
SMBJ33CA (ONS-FAIR) 		DO214AA 3000 шт Защитный диод - — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
A- SMBJ33CAH (TSC)
 
DO214AA 3000 шт — — —
A- SMBJ33CAHM4G (TSC)
 
— —
A- SMDJ33CAH (TSC)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — — —
A- SMAJ33CA (TSC)
 

SMAJ33CA/TR7 (YAG) 		DO214AC 7500 шт — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
A- SMAJ33CAH (TSC)
 
DO214AC 7500 шт — — —
A- SMAJ33CAHM2G (TSC)
 
— —
A- SA33CA (TSC)
 

SA33CA (ONS-FAIR) 		DO204AC 3500 шт — Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15
A- SMCJ33CA (TSC)
 

SMCJ33CA/TR13 (YAG)
SMCJ33CA (ONS-FAIR) 		DO214AB в ленте 3000 шт — Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB

Файлы 1

показать свернуть
TLD5S10AH – TLD5S43AH Taiwan Semiconductor 3600W, 10V – 43V Surface Mount Transient Voltage Suppressor FEATURES KEY PARAMETERS ● AEC-Q101 qualified ● Junction passivation optimized design technology ● TJ =175 °C capability suitable for high reliability and automotive requirement ● Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 ● RoHS Compliant ● Halogen-free according to IEC 61249-2-21 ● Meets ISO7637-2 and ISO16750-2 surge specifications (varied by test conditions) ● Meets IEC 61000-4-2 (Level: 4) / ISO 10605 (Level: L4) PARAMETER VALUE UNIT VWM 10 – 43 V VBR PPPM 11.1 – 52.8 V 3600 W 2800 W 175 °C (10x1,000μs) PPPM (10x10,000μs) TJ MAX APPLICATIONS Package DO-218AB Configuration Single die ● Transient Surge Protection ● Automotive Load Dump Surge Protection MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● Case: DO-218AB Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Uni-directional Weight: 2.677g (approximately) DO-218AB ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER Non-repetitive peak impulse power dissipation with 10/1000μs waveform Non-repetitive peak impulse power dissipation with (1) 10/10000μs waveform (Fig.1) Steady state power dissipation Forward Voltage at IF=100 A (2) Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave Junction temperature Storage temperature Notes: 1. Non-repetitive current pulse per Fig.3 2. Pulse test with PW = 0.3ms 1 SYMBOL VALUE UNIT PPPM 3600 W PPPM 2800 W PD 5 W VF, MAX 2 V IFSM 500 A TJ -55 to +175 °C TSTG -55 to +175 °C Version: D2103 PDF
Документация на TLD5S12AH 

Дата модификации: 18.03.2021

Размер: 476.5 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1.5SMC510A (BOURNS)