SS14LR3G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный , производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус —
Схема включения диодов
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
SS12L thru SS115L Taiwan Semiconductor CREAT BY ART FEATURES Surface Mount Schottky Barrier Rectifier - Low power loss, high efficiency - Ideal for automated placement - Guardring for overvoltage protection - High surge current capability - Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA Case: Sub SMA Sub SMA Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.019 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL Marking code SS SS SS SS SS SS SS SS 12L 13L 14L 15L 16L 19L 12L 13L 14L 15L 16L 19L 10L A5L 110L 115L UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 20 30 40 50 60 90 100 150 V Maximum RMS voltage VRMS 14 21 28 35 42 63 70 105 V Maximum DC blocking voltage VDC 20 30 40 50 60 90 100 150 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 1 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 30 A Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @ 0.5A @ 1.0A Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃ TJ=100 ℃ TJ=125 ℃ VF 0.385 0.45 0.43 0.50 0.51 0.55 0.58 0.70 0.4 IR 6.0 8.0 - dV/dt 10000 Typical thermal resistance RθJL RθJA 45 100 Storage temperature range TSTG - 55 to +125 mA 0.5 - TJ V 0.75 0.90 0.05 Voltage rate of change (Rated VR) Operating junction temperature range 0.70 0.80 V/μs O - 55 to +150 - 55 to +150 C/W O C O C Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle Document Number: DS_D1308028 Version: N13 PDF
Документация на SS110LR2 

SS12L SERIES_N13.xls

Дата модификации: 20.03.2014

Размер: 199.3 Кб

4 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    01 декабря 2025
    новость

    Дискретные полупроводниковые решения от азиатских производителей для любых задач

    Владислав Долгов (КОМПЭЛ) Дискретные компоненты – основа любой схемотехники. От правильно подобранных диодов, транзисторов и стабилитронов может зависеть надежность и эффективность всей системы. Сегодня рынок предлагает большой выбор дискретов,... ...читать

    17 июля 2023
    новость

    Решения на базе компонентов JSCJ для обвязки счетчика электроэнергии

    Сегодня мы уже практически не представляем себе жизнь без электричества. Количество разнообразной бытовой техники и электроники неуклонно растет. Грамотное управление потреблением энергии – залог не только бесперебойной работы энергосети в целом,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)