TST30H200CWC0G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный 2, общий катод на напряжение до 200 В, ток до 15 А, с падением напряжения 1 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Рабочая температура
  Примечание: Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
TST30H100CW thru TST30H200CW Taiwan Semiconductor Trench Schottky Rectifier FEATURES - Patented Trench Schottky technology - Excellent high temperature stability - Low forward voltage - Low power loss/ high efficiency - High forward surge capability - Compliant to RoHS directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition TO-220AB TYPICAL APPLICATIONS Trench Schottky barrier rectifier are designed for high frequency miniature switched mode power supplies such as adapters, lighting and on-board DC/DC converters. MECHANICAL DATA Case: TO-220AB Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating Packing code with suffix "G" menas green compound (halogen-free) Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test Polarity: As marked Mounting torque: 0.56 Nm max. Weight: 1.88 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL per device per diode Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load per diode Voltage rate of change (Rated VR) Instantaneous forward voltage per diode (Note1) IF = 15A Instantaneous reverse current per diode at rated reverse voltage TST30H TST30H TST30H 100CW 120CW 150CW 200CW 100 120 150 200 VRRM Maximum repetitive peak reverse voltage Maximum average forward rectified current TST30H TJ = 25°C TJ = 125°C TJ = 25°C TJ = 125°C V 30 IF(AV) UNIT A 15 IFSM 200 A dV/dt 10000 V/μs VF IR TYP MAX TYP MAX TYP MAX TYP MAX 0.69 0.78 0.75 0.88 0.81 0.90 0.84 0.92 0.61 0.68 0.64 0.75 0.68 0.77 0.70 0.79 - 250 - 250 - 150 - 150 μA 10 35 10 35 3 20 3 20 mA V Typical thermal resistance per diode RθJC Operating junction temperature range TJ - 55 to +150 °C TSTG - 55 to +150 °C Storage temperature range 3 2.2 °C/W Note 1: Pulse test with pulse width=300μs, 1% duty cycle Document Number: DS_D1411059 Version: E14 PDF
Документация на TST30H150CWC0G 

TST30H100CW SERIES_E14.xls

Дата модификации: 14.01.2015

Размер: 210 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)