US1B

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 100 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= US1BG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
 — — — — — —
P= HFM102 (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
 — — — —
P- ES1B (TSC)
 

ES1B (ONS-FAIR) 		DO214AC 7500 шт
 
 — —
P- S1B (TSC)
 

S1B (ONS-FAIR) 		DO214AC 7500 шт — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
F~ US1D (YJ)
 

US1D (DIODES) 		DO214AC в ленте 5000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM)
A- SS110 (DC)
 
DO214AC в ленте 7500 шт — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- ES1B (DC)
 

ES1B (ONS-FAIR) 		DO214AC в ленте 7500 шт Выпрямительный диод - [DO-214AC] —
A- SS210 (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — — —
A- SS110 SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 10 шт
 
 — — —
A- ES2BA (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon
A- SS210A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- SS110A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- GS1B (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- ES1B SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 10000 шт
 
 — —
A- US1B (YJ)
 

US1B (DIODES) 		DO214AC в ленте 5000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM)
A- HS1B (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- SS110 (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM)
A- SS110AQ (YJ)
 
— 40 шт
 
 — Surface Mount Schottky Rectifier
A- ES1B (YJ)
 

ES1B (ONS-FAIR) 		DO214AC в ленте 5000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- ES2B SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — —
A- ES2BA (TSC)
 
DO214AC 7500 шт — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- SS110 (TSC)
 
DO214AC 7500 шт — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- ESH2BA (TSC)
 
DO214AC 7500 шт — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- SSL210A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 —
A- SK110B (TSC)
 
DO214AC 3000 шт — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AA

Файлы 1

показать свернуть
US1A – US1M Taiwan Semiconductor 1A, 50V - 1000V High Efficient Surface Mount Rectifier FEATURES ● ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS Glass passivated chip junction Ideal for automated placement Low forward voltage drop Ultrafast recovery time for high efficiency Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 APPLICATIONS ● ● ● ● ● PARAMETER VALUE UNIT IF 1 A VRRM 50 - 1000 V IFSM 30 A TJ MAX 150 °C Package DO-214AC (SMA) Configuration Single die DC to DC converter Switching mode converters and inverters Lighting application Snubber Freewheeling application MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● Case: DO-214AC (SMA) Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.060g (approximately) DO-214AC (SMA) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL US1A US1B US1D US1G US1J US1K US1M UNIT Marking code on the device US1A US1B US1D US1G US1J US1K US1M Repetitive peak reverse voltage VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 V Reverse voltage, total rms value VR(RMS) 35 70 140 280 420 560 700 V Forward current Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load Junction temperature IF 1 A IFSM 30 A TJ - 55 to +150 °C Storage temperature TSTG - 55 to +150 °C 1 Version: N2102 PDF
Документация на US1B 

Дата модификации: 03.03.2021

Размер: 558.8 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)