PZT5551G-B-AA3-R
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
PZT5551
NPN SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE SWITCHING
TRANSISTOR
FEATURES
* High Collector-Emitter Voltage:
VCEO=160V
* High current gain
1
SOT-223
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Package
Lead Free
Halogen Free
PZT5551L-x-AA3-R
PZT5551G-x-AA3-R
SOT-223
Note: Pin Assignment: B: Base
C: Collector
E: Emitter
Pin Assignment
1
2
3
B
C
E
Packing
Tape ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Биполярный транзистор
- Корпус: —
- Норма упаковки: 10 шт.
Технические характеристики
показать свернуть| Тип проводимости и конфигурация |  | |
|---|---|---|
| Рассеиваемая мощность |  | |
| Напряжение КЭ максимальное |  | |
| Напряжение падения КЭ в открытом состоянии |  | |
| Ток коллектора |  | |
| Граничная рабочая частота |  | |
| Коэффициент усиления по току |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 2
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Пара | Pрасс | UКЭ(макс) | UКЭ(пад) | IК(макс) | F гран | h 21 | R1 | R2 | Примечание | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | MMBT5551 SOT-23 H (JSCJ) | SOT-23-3 |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — | |||
| A+ | CXT5551 120-180 (JSCJ) | SOT-89-3L |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на PZT5551G-B-AA3-R
Creator: Microsoft® Office Word 2007
Дата модификации: 06.12.2021
Размер: 229.8 Кб
4 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.