WM02P06H

WAYON
Document: W0803066, Rev:D WM02P06H H P-Channel MOSFET Features D ⚫ VDS= -20 V, ID = -0.66 A RDS(on) < 0.52Ω @ VGS = -4.5 V RDS(on) < 0.78Ω @ VGS = -2.5V ⚫ Enables High Density PCB Manufacturing ⚫ Low Voltage Drive Makes this Device Ideal for Portable G Equipment ⚫ Advanced Trench Process Technology ⚫ ESD Protected S SOT-723 Mechanical Characteristics ⚫ SOT-723 Package ⚫ ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-723
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Document: W0803066, Rev:D WM02P06H H P-Channel MOSFET Features D ⚫ VDS= -20 V, ID = -0.66 A RDS(on) < 0.52Ω @ VGS = -4.5 V RDS(on) < 0.78Ω @ VGS = -2.5V ⚫ Enables High Density PCB Manufacturing ⚫ Low Voltage Drive Makes this Device Ideal for Portable G Equipment ⚫ Advanced Trench Process Technology ⚫ ESD Protected S SOT-723 Mechanical Characteristics ⚫ SOT-723 Package ⚫ Marking : Making Code ⚫ RoHS Compliant Schematic & PIN Configuration D G D G S S S Device symbol SOT-723(Top View) Absolute Maximum Rating Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage VGS ±10 V Continuous Drain Current ID -0.66 A Pulsed Drain Current IDM -1.2 A Power Dissipation PD 150 mW Junction Temperature TJ 150 °C Storage Temperature TSTG -55 to +150 °C Thermal Resistance from Junction to Ambient RθJA 833 °C/W ©2019 WAYON Corporation www.way-on.com 1 / 4 PDF
Документация на WM02P06H 

Features

Дата модификации: 01.05.2022

Размер: 373.5 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)