YJL02N10A

SUNCO
YJL02N10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 100V 2A ＜280mohm ＜310mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free A...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ CJ2324 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ CJA03N10S (JSCJ)
 
SOT893L
 
 ± — — — — —
A+ WM10N20M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ JMSL10130AL-7 (JIEJIE)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ CJA03N10 (JSCJ)
 
SOT893L
 
 — ± — — — — —
A+ WM10N33M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMT04N10TS (WAYON)
 
SOT2233L в ленте 3000 шт — — —
A+ CJ2324 SOT-23 (JSCJ)
 
—
 
 — —
A+ WMS04N10TS (WAYON)
 
SOP8L
 
 — — — — — —
A+ WMS04N10T1 (WAYON)
 
SOP8L
 
 — — — — — —
A+ WMB02DN10T1 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — — — — —
A+ WM10N35M2 (WAYON)
 
SOT233L
 
 — — — — — —
A+ YJL03G10A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ YJL02N10A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ NCE0102 (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — — —
A+ JMTL3N10A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
YJL02N10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 100V 2A ＜280mohm ＜310mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ Unit 2 Drain Current ID A TA=70℃ 1.6 Pulsed Drain Current A IDM TA=25℃ Total Power Dissipation 8 A 1.3 W 0.8 W PD TA=70℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 96 ℃/ W Thermal Resistance Junction-to-Case B Junction and Storage Temperature Range RθJL 80 TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJL02N10A F2 1002. 3000 30000 120000 7“ reel 1/7 S-E023 Rev.3.2,28-Sep-22 Shanghai Sunco Electronics Co., Ltd www.russiansunco.com PDF
Документация на YJL02N10A 

Дата модификации: 29.09.2025

Размер: 1.05 Мб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    16 октября
    новость

    Поступление новой продукции от SUNCO: расширяем ассортимент выпрямительных компонентов и транзисторов

    Владислав Долгов (КОМПЭЛ) На склад КОМПЭЛ поступила новая партия популярных дискретных компонентов, выпускаемых компанией SUNCO – одним из крупнейших китайских производителей силовой дискретной продукции с полным циклом производства. Компания,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)