1N4004G

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 400 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.1 В, ёмкостью перехода 8 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO41
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-204AL
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- 1N4004 T/B (DC)
 
DO41 в ленте 2500 шт Выпрямительный диод - [DO-41]; Uобр: 400 В; Uпрям: 1.1 В; Iпрям: 1 А; N: 1
A- 1N4936G (YJ)
 
DO41
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-204AL
A- 1N5395GS (YJ)
 
DO41
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 400V V(RRM), Silicon, DO-204AL
A- 1N4004 (DC)
 

1N4004 (ONS-FAIR)
DO41 1 шт Выпрямительный диод - [DO-41]; Uобр: 400 В; Uпрям: 1.1 В; Iпрям: 1 А; N: 1 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-41

Файлы 1

показать свернуть
RoHS 1N4001G THRU 1N4007G COMPLIANT General Purpose Rectifier Features ● High efficiency ● High current capability ● High reliability ● High surge current capability ● Low power loss ● Glass passivated chip junction ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Mechanical Data ● Package: DO-204AL(DO-41) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity:Color band denotes cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code 1N4001G 1N4002G 1N4003G 1N4004G 1N4005G 1N4006G 1N4007G 1N4001G 1N4002G 1N4003G 1N4004G 1N4005G 1N4006G 1N4007G 50 100 200 800 1000 Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V Average Forward Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta =85℃ IF(AV) A 1.0 Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 30 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction Temperature Tj ℃ -55~+150 400 600 ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS 1N4001G 1N4002G 1N4003G 1N4004G 1N4005G 1N4006G 1N4007G Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VFM V IFM =1.0A 1.1 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IRRM1 Ta=25℃ 2.5 Ta=100℃ 50 Measured at 1MHZ and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C. 8 PARAMETER Typical junction capacitance μA IRRM2 Cj pF ■Thermal Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Thermal Resistance(Typical) RθJ-A ℃/W 1N4001G 1N4002G 1N4003G 1N4004G 1N4005G 1N4006G 1N4007G 60 1/4 S-A016 Rev.2.1,28-Apr-14 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на 1N4001G 

T10XB型(SIP)硅橋式整流器

Дата модификации: 31.08.2018

Размер: 468.3 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.