1N4934G

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 100 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.2 В, ёмкостью перехода 10 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO41
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-204AL
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 12

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- 1N4002 (YJ)
 

1N4002 (ONS-FAIR)
DO41
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM)
A- SF12 (YJ)
 
DO41 в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM)
A- SR1100 (YJ)
 
DO41 в ленте 1000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM)
A- 1N4002 (DC)
 

1N4002 (ONS-FAIR)
DO41 в ленте 2500 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41
A- 1N4934 (DC)
 

1N4934 (ONS-FAIR)
DO41 в ленте 2500 шт Выпрямительный диод - [DO-41]; N: 1
A- FR202 (DC)
 
DO41 в ленте 1500 шт Выпрямительный диод - [DO-15]
A- SF12G (YJ)
 
DO41
 
A- SR1100L (YJ)
 
DO41
 
A- FR102G (YJ)
 
DO41
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon
A- HER102G (YJ)
 
DO41
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-204AL
A- 1N5392GS (YJ)
 
DO41
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 100V V(RRM), Silicon, DO-204AL
A- 1N4002G (YJ)
 
DO41 в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-204AL

Файлы 1

показать свернуть
RoHS 1N4933G THRU 1N4937G COMPLIANT Fast Recovery Rectifier Features ● High efficiency ● High current capability ● High reliability ● High surge current capability ● Low power loss ● Glass passivated chip junction ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Mechanical Data ● Package: DO-204AL(DO-41) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity:Color band denotes cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code 1N4933G 1N4934G 1N4935G 1N4936G 1N4937G 1N4933G 1N4934G 1N4935G 1N4936G 1N4937G 50 100 200 400 600 Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V Average Forward Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta=75℃ IF(AV) A 1.0 Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 30 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction Temperature Tj ℃ -55~+150 ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER 1N4933G 1N4934G 1N4935G SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VFM V IFM =1.0A 1.2 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IRRM1 Ta=25℃ 2.5 Ta=100℃ 100 1N4936G 1N4937G μA IRRM2 Reverse Recovery time trr ns IF=0.5A IR=1A IRR=0.25A 150 Typical junction capacitance Cj pF Measured at 1MHZ and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C. 10 ■Thermal Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Thermal Resistance(Typical) RθJ-A ℃/W 1N4933G 1N4934G 1N4935G 1N4936G 1N4937G 60 1/4 S-A023 Rev. 2.1, 28-Apr-14 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на 1N4933G 

T10XB型(SIP)硅橋式整流器

Дата модификации: 30.08.2018

Размер: 416.9 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.