1N5407G

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 800 В, ток до 3 А, с падением напряжения 1.1 В, ёмкостью перехода 40 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO201AD
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- 1N5408 (YJ)
 

1N5408 (DIODES) 		DO201AD 250 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM)
A- 1N5408G (YJ)
 
DO201AD в ленте 1250 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-201AD
A- 1N5408 (DC)
 

1N5408 (DIODES) 		DO201AD в ленте 500 шт
 
 — — — — —
A- FR306 (YJ)
 
DO201AD
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD
A- BY254G (YJ)
 
DO201AD 1250 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS 1N5400G THRU 1N5408G COMPLIANT General Purpose Rectifier Features ● High efficiency ● High current capability ● High reliability ● High surge current capability ● Low power loss ● Glass passivated chip junction ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Mechanical Data ● Package:DO-201AD(DO-27) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity:Color band denotes cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code 1N5400G 1N5401G 1N5402G 1N5404G 1N5406G 1N5407G 1N5408G 1N5400G 1N5401G 1N5402G 1N5404G 1N5406G 1N5407G 1N5408G 50 100 200 400 600 800 1000 Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V Average Forward Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta =70℃ IF(AV) A 3.0 Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 200 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction Temperature Tj ℃ -55~+150 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS 1N5400G 1N5401G 1N5402G 1N5404G 1N5406G 1N5407G 1N5408G Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VFM V IFM =3.0A 1.1 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IRRM1 Ta=25℃ 2.5 Ta=100℃ 50 Measured at 1MHZ and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C. 40 PARAMETER Typical junction capacitance μA IRRM2 Cj pF ■Thermal Characteristics （Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Thermal Resistance(Typical) RθJ-A ℃/W 1N5400G 1N5401G 1N5402G 1N5404G 1N5406G 1N5407G 1N5408G 30 1/4 S-A029 Rev.2.1,28-Apr-14 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на 1N5400G 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 31.08.2018

Размер: 468.3 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)