BY254G

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 800 В, ток до 3 А, с падением напряжения 1 В, ёмкостью перехода 40 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO201AD
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- 1N5408 (YJ)
 

1N5408 (DIODES) 		DO201AD 250 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM)
A- 1N5408G (YJ)
 
DO201AD в ленте 1250 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-201AD
A- 1N5408 (DC)
 

1N5408 (DIODES) 		DO201AD в ленте 500 шт
 
 — — — — —
A- 1N5407G (YJ)
 
DO201AD 1250 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD

Файлы 1

показать свернуть
RoHS BY251G THRU BY255G COMPLIANT General Purpose Rectifier Features ● High efficiency ● High current capability ● High reliability ● High surge current capability ● Low power loss ● Glass passivated chip junction ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications For use in general purpose rectification of power supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer, and telecommunication. Mechanical Data ● Package:DO-201AD(DO-27) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity:Color band denotes cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code BY251G BY252G BY253G BY254G BY255G BY251G BY252G BY253G BY254G BY255G Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 200 400 600 800 1300 Maximum RMS Voltage VRMS V 140 280 420 560 910 Maximum DC blocking Voltage VDC V 200 400 600 800 1300 Average Forward Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta =70℃ IF(AV) A IFSM A Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃ 3.0 200 Forward Surge Current (Non-repetitive) @1ms, square wave, 1 cycle, Tj=25℃ 360 Current squared time @1ms≤t8.3≤ms Tj=25℃，Rating of per diode I2t A2s Typical junction capacitance @Measured at 1MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C Cj pF Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~ +150 166 40 31 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER BY251G BY252G BY253G SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=3.0A 1.0 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode μA Tj =25℃ 2.5 IR Tj =125℃ 100 BY254G BY255G 1/4 S-A061 Rev.2.2,30-Jan-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на BY251GC1 

Microsoft Word - BY251G THRU BY255G

Дата модификации: 30.01.2021

Размер: 204.7 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1A7 (YJ)