DGW30N65BTH
DGW30N65BTH
RoHS
COMPLIANT
IGBT Discrete
VCE
650
V
IC
30
A
VCE(SAT) IC=30A
1.95
V
Applications
Circuit
High frequency switching application
Medical applications
Uninterruptible power supply
Motion/servo control
Features
Low switching losses
Maximum junction temperature 175℃
Positive temperature coefficient
High ruggedness, temperature stable
High short circuit ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: IGBT транзисторы
- Корпус: TO-247-3
- Норма упаковки: 50 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO-247-3 | |
---|---|---|
Напряжение К-Э максимальное | ||
Ток коллектора максимальный при 25°C | ||
Напряжение насыщения К-Э | ||
Тип |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 21
показать свернутьФайлы 1
показать свернуть
Документация на DGW30N65BTH
Microsoft Word - DGW30N65BTH
Дата модификации: 24.05.2022
Размер: 398.6 Кб
8 стр.
Публикации 2
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.