DGW80N120ATL1BQ

Yangjie
DGW80N120ATL1BQ RoHS COMPLIANT IGBT Discrete VCE 1200 V IC 80 A VCE(SAT) IC=80A 1.75 V \ G C E Circuit Applications  PTC Features     High breakdown voltage to 1200V for improved reliability Maximum junction temperature 150℃ Positive temperature coefficient Qualified to AEC-Q101 Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Collector-Emitter Breakdown Voltage VCE 1...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус —
Напряжение К-Э максимальное
Ток коллектора максимальный при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Максимальная мощность
Заряд затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i UКЭ макс IК UКЭ нас t вкл t выкл Диод tвосст Мощность Заряд затвора Вход Тип Примечание Карточка
товара
A- DG15X06T1 (STARPWR)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт —
A- DG15X12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт —
A- DG25X12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
 —
A- DG40F12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
 —
A- DG40Q12T2LZ (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
 — — —
A- DG40X12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
 —
A- DG50Q12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
 — — —
A- DG50X06T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
 —
A- DG75X12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
 —
A- DG10X06T1 (STARPWR)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 —
A- SGT50T65FD1PN (SILAN)
 
— в линейках 30 шт
 
 —

Файлы 1

показать свернуть
DGW80N120ATL1BQ RoHS COMPLIANT IGBT Discrete VCE 1200 V IC 80 A VCE(SAT) IC=80A 1.75 V \ G C E Circuit Applications  PTC Features     High breakdown voltage to 1200V for improved reliability Maximum junction temperature 150℃ Positive temperature coefficient Qualified to AEC-Q101 Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Collector-Emitter Breakdown Voltage VCE 1200 V DC Collector Current, limited by Tjmax TC= 25°C TC= 100°C IC 145* 80 A VGE ±20 V Continuous Gate-Emitter Voltage Transient Gate-Emitter Voltage VGE ±30 V 240 A (tp≤10µs,D<0.010) Turn off Safe Operating Area VCE≤1200V, Tj≤ 150°C Pulsed Collector Current, VGE=15V, tp limited by Tjmax ICM 240 A Power Dissipation , Tj=150°C，Tc=25°C Ptot 521 W *Bond wire current limit is 80A S-M364D Rev.1.1, 27-Jul-23 www.21yangjie.com 1 PDF
Документация на DGW80N120ATL1BQ 

Microsoft Word - MDS60E-SMSC.doc

Дата модификации: 14.03.2024

Размер: 742.5 Кб

9 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    06 июня 2024
    новость

    Новые IGBT SUNCO в корпусе TO-247 для автотранспорта и промышленности

    Китайская компания SUNCO выпускает дискретные IGBT–транзисторы DGW80N120ATL1BQ и DGW80N120BTL1BQ в популярном корпусе TO–247 с номинальными значениями тока и напряжения 80 А и 1200 В, соответственно. Различие между ними заключается в... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    DG10X06T1 (STARPWR)