GBJ2004

Yangjie
GBJ20005 THRU GBJ2010 桥式整流器 Bridge Rectifier ■特征 Features ● Io ■外形尺寸和印记 20A VRRM 50V~1000V ● 玻璃钝化芯片 Glass passivated chip ● 耐正向浪涌电流能力高 High surge forward current capability ● 6KBJ HOLE FOR NO. 6 SCREW .134(3.4) .122(3.1) DIA .800(20.3) .776(19.7) ~ .106(2.7) .096(2.3) 作一般电源单相桥式整流用 General purpose 1 phase Bridge rectifier applications 平均整...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус —
Конфигурация соединения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямое падение напряжения
Прямой ток диода (средн)
Примечание Bridge Rectifier Diode, 20A, 400V V(RRM)
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
GBJ20005 THRU GBJ2010 桥式整流器 Bridge Rectifier ■特征 Features ● Io ■外形尺寸和印记 20A VRRM 50V~1000V ● 玻璃钝化芯片 Glass passivated chip ● 耐正向浪涌电流能力高 High surge forward current capability ● 6KBJ HOLE FOR NO. 6 SCREW .134(3.4) .122(3.1) DIA .800(20.3) .776(19.7) ~ .106(2.7) .096(2.3) 作一般电源单相桥式整流用 General purpose 1 phase Bridge rectifier applications 平均整流输出电流 Average Rectified Output Current .708(18.0) .669(17.0) 正向（不重复）浪涌电流 Surge(Nonrepetitive)Forward Current 正向浪涌电流的平方对电流 浪涌持续时间的积分值 Current Squared Time 存储温度 Storage Temperature 结温 Junction Temperature 绝缘耐压 Dielectric Strength 安装扭矩 Mounting Torque .303(7.7) .303(7.7) .287(7.3) .287(7.3) .031(0.8) .023(0.6) Dimensions in inches and (millimeters) 条件 Conditions GBJ20 005 01 02 04 06 08 10 50 100 200 400 600 800 1000 V IO .441(11.2) .425(10.8) .043(1.1) .035(0.9) 符号 单位 Symbol Unit VRRM .228(5.8) .189(4.8) .153(3.9) .134(3.4) .094(2.4) .078(2.0) ■极限值（绝对最大额定值） Limiting Values（Absolute Maximum Rating） 反向重复峰值电压 Repetitive Peak Reverse Voltage ~ - .165(4.2) .150(3.8) .402(10.2) .386(9.8) 参数名称 Item .189(4.8) .173(4.4) .150(3.8) .134(3.4) 1.193(30.3) 1.169(29.7) + ■用途 Applications ● Outline Dimensions and Mark 60Hz正弦波， 用散热片 Tc =87℃ 电阻负载 With heatsink Tc =87℃ 60Hz sine wave, 无散热片 Ta =25℃ R-load Without heatsink Ta =25℃ A 20 3.5 IFSM A 60HZ正弦波，一个周期，Tj=25℃ 60HZ sine wave, 1 cycle, Tj=25℃ 240 2 It A2S 1ms≤t<8.3ms Tj=25℃，单个二极管 1ms≤t<8.3ms Tj=25℃，Rating of per diode 240 Tstg ℃ -55 ~+150 Tj ℃ -55 ~+150 Vdis KV Tor kg· cm 端子与外壳之间外加交流电，一分钟 Terminals to case，AC 1 minute 推荐值：5kg·cm Recommend torque：5kg·cm 2.5 8 ■电特性 （Ta=25℃ 除非另有规定） Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） 参数名称 Item 正向峰值电压 Peak Forward Voltage 反向峰值电流 Peak Reverse Current 热阻 Thermal Resistance Document Number 0052 Rev. 1.0, 22-Sep-11 符号 单位 Symbol Unit VFM V IRRM μA RθJ-A ℃/W RθJ-C 测试条件 Test Condition IFM=10A, 脉冲测试，单个二极管的额定值 IFM=10A, Pulse measurement, Rating of per diode VRM=VRRM ,脉冲测试，单个二极管的额定值 VRM=VRRM , Pulse measurement, Rating of per diode 结和环境之间，无散热片 Between junction and ambient, Without heatsink 结和管壳之间，用散热片 Between junction and case, With heatsink 扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. 最大值 Max 1.1 10 22 1.5 www.21yangjie.com PDF
Документация на GBJ20005 

Microsoft Word - GBJ20005-GBJ2010.doc

Дата модификации: 07.11.2011

Размер: 99.1 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    SEMIX341D16S (SMK)