GBJ2508B1

Yangjie
RoHS GBJ25005 THRU GBJ2510 COMPLIANT Bridge Rectifiers Features ● UL recognition, file #E230084 ● Thin single in-line package ● High surge current capability ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for switching power supply, home appliances, office equipment, industrial automation applications. Mechan...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус —
Конфигурация соединения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средн)
Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.5A, 800V V(RRM), Silicon
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Схема Uобр Uпрям Iпрям Примечание T раб Карточка
товара
PH GBJ2508 (YJ)
 
— 15 шт
 
 Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.5A, 800V V(RRM), Silicon

Файлы 1

показать свернуть
RoHS GBJ25005 THRU GBJ2510 COMPLIANT Bridge Rectifiers Features ● UL recognition, file #E230084 ● Thin single in-line package ● High surge current capability ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for switching power supply, home appliances, office equipment, industrial automation applications. Mechanical Data ● Package: 6KBJ Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked on body + ~ ~ - ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） SYMBOL UNIT GBJ25005 GBJ2501 GBJ2502 GBJ2504 GBJ2506 GBJ2508 GBJ2510 PARAMETER GBJ25005 GBJ2501 GBJ2502 GBJ2504 GBJ2506 GBJ2508 GBJ2510 Device marking code Repetitive peak reverse voltage VRRM V IO A With heatsink Average rectified output Tc =87℃ current @60Hz sine wave, RWithout heatsink load, Ta =25℃ Surge(non-repetitive)forward current @60Hz half sine wave, 1 cycle, Tj=25℃ Current squared time @1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃, Rating of per diode 50 100 200 400 600 800 1000 25.0 3.5 IFSM A 320 I2t A2s 424 Storage temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction temperature Tj ℃ -55 ~+150 Dielectric strength @ terminals to case, AC 1 minute Vdis KV 2.5 Mounting torque @recommend torque：5kgꞏcm Tor kgꞏcm 8 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage drop per diode Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode SYMBOL UNIT TEST GBJ25005 GBJ2501 GBJ2502 GBJ2504 GBJ2506 GBJ2508 GBJ2510 CONDITIONS VF V IFM=12.5A 1.00 IRRM μA VRM=VRR M 5 1/4 S-B379 Rev. 2.4,21-Nov-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на GBJ25005 

Microsoft Word - GBJ25005 THRU GBJ2510

Дата модификации: 21.11.2019

Размер: 244.5 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    SEMIX341D16S (SMK)