GBPC3506WA1

Yangjie
RoHS GBPC35005(W) THRU GBPC3510(W) COMPLIANT Bridge Rectifiers Features ●Universal 3-way terminals: snap-on, wire wrap-around, or PCB mounting ● High surge current capability ● Low thermal resistance ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for power supply, home appliances, office equipment, industrial a...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус —
Конфигурация соединения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямое падение напряжения
Прямой ток диода (средн)
Примечание
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Схема Uобр Uпрям Iпрям Примечание T раб Карточка
товара
PH GBPC3506W (YJ)
 

GBPC3506W (ONS-FAIR) 		GBPCW 50 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS GBPC35005(W) THRU GBPC3510(W) COMPLIANT Bridge Rectifiers Features ●Universal 3-way terminals: snap-on, wire wrap-around, or PCB mounting ● High surge current capability ● Low thermal resistance ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for power supply, home appliances, office equipment, industrial automation applications. Mechanical Data ● Package: GBPC,GBPC-W Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 Suffix letter “W” added to indicate wire leads(e.g. GBPC3510W). ■ Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code GBPC35 005 GBPC35 01 GBPC35005 GBPC350 GBPC350 GBPC350 GBPC350 GBPC350 GBPC3510 1 2 4 6 8 GBPC35 02 GBPC35 04 VRRM V IO A 35 IFSM A 400 I2t AS Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~+150 Dielectric Strength, Terminals to case, AC 1 minute Vdis KV 2.5 Mounting Torque TOR kg·cm 10 Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, R-load, With heatsink, Tc=55℃ Surge(Non-repetitive)Forward Current @60HZ Half- sine Wave, 1 cycle, Ta=25℃ Current Squared Time @1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃, Rating of per diode 50 100 200 400 2 GBPC35 06 600 GBPC35 08 800 GBPC35 10 1000 660 ■ Electrical Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT GBPC35 TEST 005 CONDITIONS Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VFM V Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IRRM μA VRM=VRRM GBPC35 01 GBPC35 GBPC35 GBPC35 GBPC35 GBPC35 02 04 06 08 10 1.1 IFM=17.5A 10 ■ Thermal Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER Thermal Resistance Between junction and case, With heatsink SYMBOL UNIT RθJ-C ℃/W GBPC35 005 GBPC35 01 GBPC35 02 GBPC35 04 GBPC35 06 GBPC35 08 GBPC35 10 1.35 1/4 S-C032 Rev. 2.1, 28-Apr-15 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на GBPC35005A1 

Microsoft Word - GBPC35005（W） THRU GBPC3510（W）

Дата модификации: 05.12.2017

Размер: 215.1 Кб

4 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    20 августа 2024
    новость

    Транзисторы SJ MOSFET от SUNCO – решение для напряжений до 600 В

    Кремниевые транзисторы MOSFET продолжают оставаться основой силовой электроники. Причины – хорошо отработанная технология, низкая цена, простота схем управления. Для того, чтобы повысить максимально допустимое напряжение между стоком и истоком,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    SEMIX341D16S (SMK)