GS1GQ

Yangjie
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 400 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.1 В, ёмкостью перехода 16 пФ, производства Yangjie (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-214AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Surface Mount General Purpose Rectifier
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- FM404 (LRC)
 
DO-214AC SMA — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- GS2GAQ (YJ)
 
DO-214AC — Surface Mount General Purpose Rectifier

Файлы 1

показать свернуть
RoHS GS1AQ THRU GS1MQ COMPLIANT Surface Mount General Purpose Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junction ● High forward surge capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C ● Part no. with suffix “Q” means AEC-Q101 qualified Typical Applications For use in general purpose rectification of power supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer,automotive and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-214AC (SMA) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code GS1AQ GS1BQ GS1DQ GS1GQ GS1JQ GS1KQ GS1MQ GS1A GS1B GS1D GS1G GS1J GS1K GS1M Repetitive peak reverse voltage VRRM V 50 100 200 400 600 800 1000 Maximum RMS voltage VRMS V 35 70 140 280 420 560 700 Maximum DC blocking voltage VDC V 50 100 200 400 600 800 1000 IO A 1.0 IFSM A 40 Current squared time @1ms≤t≤8.3ms TJ=25℃，Rating of per diode I2t A2S 6.64 Storage temperature Tstg ℃ -55~+150 Junction temperature TJ ℃ -55 ~ +150 Average rectified output current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta (Fig.1) Surge(non-repetitive)forward current @ 60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ 1/5 S-S2075 Rev.1.5,14-Sep-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на GS1AQ 

Microsoft Word - GS1AQ THRU GS1MQ

Дата модификации: 14.09.2022

Размер: 333.5 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)