GS2DQ

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 2 А, с падением напряжения 1.15 В, ёмкостью перехода 18 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-214AA
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Surface Mount General Purpose Rectifier
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- ES2DQ (YJ)
 
DO-214AA Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier
A- GS3DBQ (YJ)
 
DO-214AA — Surface Mount General Purpose Rectifier
A- SS220Q (YJ)
 
DO-214AA — Surface Mount Schottky Rectifier

Файлы 1

показать свернуть
RoHS GS2AQ THRU GS2MQ COMPLIANT Surface Mount General Purpose Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junction ● High forward surge capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C ● Part no. with suffix “Q” means AEC-Q101 qualified Typical Applications For use in general purpose rectification of power supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer, automotive and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-214AA (SMB) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code GS2AQ GS2BQ GS2DQ GS2GQ GS2JQ GS2KQ GS2MQ GS2A GS2B GS2D GS2G GS2J GS2K GS2M Repetitive peak reverse voltage VRRM V 50 100 200 400 600 800 1000 Maximum RMS voltage VRMS V 35 70 140 280 420 560 700 Maximum DC blocking voltage VDC V 50 100 200 400 600 800 1000 IO A 2.0 Surge(non-repetitive)forward current @60Hz half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 50 Storage temperature Tstg ℃ -55~+150 Junction temperature TJ ℃ -55~+150 Average rectified output current @60Hz sine wave, resistance load, TL (FIG1) ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=2.0A 1.15 Typical junction capacitance CJ pF VR=4V,f=1 MHz 18 Ta =25℃ 5 IRRM μA Ta =125℃ 100 PARAMETER Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode @ VRM=VRRM GS2AQ GS2BQ GS2DQ GS2GQ GS2JQ GS2KQ GS2MQ 1/5 S-S2627 Rev.1.5,14-Sep-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на GS2AQ 

Microsoft Word - GS2AQ THRU GS2MQ

Дата модификации: 14.09.2022

Размер: 240.3 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)