Вход / Регистрация

HDL8S

SUNCO
RoHS HDL1S THRU HDL10S COMPLIANT Bridge Rectifiers Features ● UL recognition, file #E313149 ● Ideal for automated placement ● High surge current capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for power supply, lighting ballast, battery charger, home appliances, office equipment, and te...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Максимальное обратное напряжение диода
Прямое падение напряжения
Прямой ток диода (средн)
Примечание
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
RoHS HDL1S THRU HDL10S COMPLIANT Bridge Rectifiers Features ● UL recognition, file #E313149 ● Ideal for automated placement ● High surge current capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for power supply, lighting ballast, battery charger, home appliances, office equipment, and telecommunication applications. Mechanical Data ● Package: MBLS Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked on body ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code Repetitive peak reverse voltage VRRM V IO A On alumina substrate Average rectified output current @60Hz sine wave, On glass-epoxi R-load, Ta=40℃ substrate Surge(non-repetitive)forward current @60Hz half sine wave, 1 cycle, Tj=25℃ HDL1S HDL2S HDL4S HDL6S HDL8S HDL10S HDL1S HDL2S HDL4S HDL6S HDL8S HDL10S 100 200 400 600 800 1000 0.8 0.5 IFSM A 30 It 2 A2S 3.7 Storage temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction temperature Tj ℃ -55 ~+150 Current squared time @1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃,rating of per diode ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage drop per diode Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS VF V IFM=0.4A IRRM μA VRM=VRRM HDL1S HDL2S HDL4S HDL6S HDL8S HDL10S 1.00 5 1/4 S-S327 Rev. 2.1, 24-Jan-15 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на HDL10S 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 16.07.2018

Размер: 662.8 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    ABS10 (YJ)