HER502G

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 100 В, ток до 5 А, с падением напряжения 1 В, ёмкостью перехода 72 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO201AD
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- SR5100 (YJ)
 
DO201AD в ленте 1250 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD
A- SF52G (YJ)
 
DO201AD 1250 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD
A- SR10100L (YJ)
 
DO201AD 1250 шт
 
 —
A- SR5100L (YJ)
 
DO201AD 1250 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD
A- SR8100 (YJ)
 
DO201AD 1250 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 100V V(RRM)
A- SR8100L (YJ)
 
DO201AD 1250 шт
 
 —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS HER501G THRU HER508G COMPLIANT High Efficient Rectifier Features ● High efficiency ● High current capability ● High Reliability ● High surge current capability ● Glass passivated chip junction ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Mechanical Data ● Package: DO-201AD(DO-27) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity:Color band denotes cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code HER501 G HER502 G HER503 G HER504 G HER505 G HER506 G HER507 G HER508 G HER501 G HER502 G HER503 G HER504 G HER505 G HER506 G HER507 G HER508 G 50 100 200 300 400 600 800 1000 Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V Average Forward Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta=50℃ IF(AV) A 5.0 Forward Surge Current(Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave, 1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 150 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction Temperature Tj ℃ -55~+150 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VFM V IFM =5.0A Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IRRM1 HER501 HER502 HER503 HER504 HER505 HER506 HER507 HER508 G G G G G G G G 1.0 1.3 Ta=25℃ 2.5 Ta=100℃ 150 1.7 μA IRRM2 Reverse Recovery time trr ns IF=0.5A IR=1A IRR=0.25A 50 75 Typical junction capacitance Cj pF Measured at 1MHZ and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C. 85 60 ■Thermal Characteristics （Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT HER501G HER502G HER503G HER504G HER505G HER506G HER507G HER508G Thermal Resistance(Typical) RθJ-A ℃/W 20 1/4 S-A288 Rev. 2.1, 21-Jan-15 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на HER501G 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 30.08.2018

Размер: 492.6 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)