HS1Q

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1200 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.7 В, ёмкостью перехода 8 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= HFMAF109 (LRC)
 
SMAFL
 
 — — — —
P= US1M-A (ANBON)
 
DO214AC
 
 — — — — — — — — — — —
A- GS1Q (YJ)
 
DO214AC 5000 шт — — —
A- GS1Y (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт — — —
A- GS2YA (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS HS1Q COMPLIANT Surface Mount High Efficient Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junction ● High forward surge capability ● Super fast reverse recovery time ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications For use in high frequency rectification of power supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer, and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-214AC (SMA) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL HS1Q UNIT HS1Q Device marking code Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 1200 Maximum RMS Voltage VRMS V 840 Maximum DC blocking Voltage VDC V 1200 1.0 Average rectified output current @60Hz sine wave, Resistance load, TL (FIG.1) Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃ Forward Surge Current (Non-repetitive) @1ms, square wave, 1 cycle, Tj=25℃ Current squared time @1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃ IO A IFSM A I2t A2s 3.7 Storage temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 Junction temperature Tj ℃ -55 ~ +150 30 60 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS MAX Maximum instantaneous forward voltage VF V IFM=1.0A 1.7 Maximum reverse recovery time trr ns IF=0.5A,IR=1.0A, Irr=0.25A 75 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage IR μA Tj =25℃ 5 100 Typical junction capacitance Cj pF Tj =125℃ Measured at 1MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C PARAMETER 8 1/5 S-S2769 Rev.1.3,19-Sep-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на HS1Q 

Microsoft Word - HS1Q

Дата модификации: 19.09.2022

Размер: 241.3 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)