KBU810

Yangjie
RoHS KBU8005 THRU KBU810 COMPLIANT Bridge Rectifiers Features ● UL recognition, file #E230084 ● Ideal for printed circuit boards ● High surge current capability ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 + ~ ‐~ Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for switching power supply, home appliances, office equipment, industrial automation application...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус KBU
Конфигурация соединения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямое падение напряжения
Прямой ток диода (средн)
Примечание Bridge Rectifier Diode, 8A, 1000V V(RRM), Silicon
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
RoHS KBU8005 THRU KBU810 COMPLIANT Bridge Rectifiers Features ● UL recognition, file #E230084 ● Ideal for printed circuit boards ● High surge current capability ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 + ~ ‐~ Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for switching power supply, home appliances, office equipment, industrial automation applications. Mechanical Data ● Package: KBU Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked on body ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V IO A With heatsink Average Rectified Output Tc =115℃ Current @60Hz sine wave, Without heatsink R-load Ta =25℃ Surge(Non-repetitive)Forward Current @60Hz half-sine wave, 1 cycle, Ta=25℃ KBU8005 KBU801 KBU802 KBU804 KBU806 KBU808 KBU810 KBU8005 KBU801 KBU802 KBU804 KBU806 KBU808 KBU810 200 400 600 800 1000 KBU808 KBU810 50 100 8 2.8 IFSM A 150 I2t A2S 93 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~+150 Current Squared Time @1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃,Rating of per diode ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage drop per diode Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode SYMBOL UNIT TEST KBU8005 CONDITIONS KBU801 KBU802 KBU804 VF V IFM=4A 1.1 IRRM μA VRM=VRRM 10 KBU806 1/4 S-C065 Rev.2.3, 13-Aug-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на KBU8005 

Microsoft Word - KBU8005 THRU KBU810

Дата модификации: 13.08.2019

Размер: 213.4 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    SEMIX341D16S (SMK)