MBL8S

RoHS MBL1S THRU MBL10S COMPLIANT Bridge Rectifiers Features ● UL recognition, file #E313149 ● Ideal for automated placement ● High surge current capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for power supply, lighting ballast, battery charger, home appliances, office equipment, and te...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация соединения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямое падение напряжения
Прямой ток диода (средн)
Примечание Bridge Rectifier, 1 Phase, 0,5A, 800V
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Схема Uобр Uпрям Iпрям Примечание T раб Карточка
товара
P= MB8S (YJ)
 

MB8S (ONS-FAIR)
TO269AA в ленте 2500 шт
 
Bridge Rectifier Diode, 0.8A, 800V V(RRM), Silicon
P= B8S (DC)
 
DB1MS в ленте 3000 шт
 
P= MB8S (SHIKUES)
 

MB8S (ONS-FAIR)
MBS
 
P= MBS6 (TSC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= MB10S (ANBON)
 

MB10S (ONS-FAIR)
TO269AA
 
P= MB6S (SHIKUES)
 

MB6S (ONS-FAIR)
MBS
 
P= MB6S (JSCJ)
 

MB6S (ONS-FAIR)
MBS в ленте 3000 шт
 
P= B6S (LRC)
 
 
P= B6S (DC)
 
DB1MS в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS MBL1S THRU MBL10S COMPLIANT Bridge Rectifiers Features ● UL recognition, file #E313149 ● Ideal for automated placement ● High surge current capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for power supply, lighting ballast, battery charger, home appliances, office equipment, and telecommunication applications. Mechanical Data ● Package: MBLS Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked on body ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code Repetitive peak reverse voltage VRRM V IO A On alumina substrate Average rectified output current @60Hz sine wave, On glass-epoxi R-load, Ta=40℃ substrate Surge(non-repetitive)forward current @60Hz half sine wave, 1 cycle, Tj=25℃ MBL1S MBL2S MBL4S MBL6S MBL8S MBL10S MBL1S MBL2S MBL4S MBL6S MBL8S MBL10S 100 200 400 600 800 1000 0.8 0.5 IFSM A 30 It 2 A2S 3.7 Storage temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction temperature Tj ℃ -55 ~+150 Current squared time @1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃,rating of per diode ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage drop per diode Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS VF V IFM=0.4A IRRM μA VRM=VRRM MBL1S MBL2S MBL4S MBL6S MBL8S MBL10S 1.00 5 1/4 S-S074 Rev. 2.1, 28-Apr-14 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на MBL10S 

T10XB型(SIP)硅橋式整流器

Дата модификации: 16.07.2018

Размер: 661.6 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.